半导体激光器件及其制造方法以及光盘再现和记录设备

摘要

在于650℃的生长温度下，层叠多重应变量子阱有源层105的GaAsP构成垒层后，立即层叠AlGaAs构成的第二上导向层126。在温度保持在适合P基层生长的生长温度下，即650℃下生长该第二上导向层126。通过减少来自垒层的P解吸，使垒层与第二上导向层126之间的界面粗糙度减小到20或小于20。然后层叠第一上导向层106。该第一上导向层106的生长温度在开始时是650℃，该生长温度随着生长而升高，直到生长结束时温度达到750℃为止。

主权项

1.一种半导体激光器件，包括：依次在GaAs衬底上的，至少第一导电类型的下盖层、下导向层、由至少一层阱层和至少两层垒层构成的量子阱有源层、上导向层和第二导电类型的上盖层，其中多个层中的至少一层是由含有作为V族元素的P的III-V族化合物半导体构成的P基层，并且与该P基层邻近的层是由不含P但含As作为V族元素的III-V族化合物半导体构成的As基层，以及该P基层与As基层之间的界面的粗糙度不大于20。