氧化铟膜的形成方法、具有氧化铟膜的衬底及半导体元件

摘要

在导电衬底上形成氧化铟膜的成膜方法，把所述衬底和相反电极浸入至少包含硝酸盐离子和铟离子的水溶液中，在所述衬底和相反电极之间通电流，由此在所述衬底上形成所述氧化铟膜。利用无电淀积工艺形成氧化铟膜的水溶液，至少包含硝酸盐离子，铟离子和酒石酸盐。利用所述的水溶液，通过无电淀积工艺，在衬底上形成氧化铟膜的成膜方法。利用所述成膜方法，制成半导体元件和光生伏打元件的衬底。

主权项

1.半导体元件的衬底，其包括作为半导体元件衬底的导电衬底，所述导电衬底具有通过把所述导电衬底和相反电极浸入至少包含硝酸盐离子和铟离子的水溶液中，在所述衬底和相反电极之间通电流，在衬底上形成的氧化铟膜。