发明名称 一种用以在半导体制程之中侦测电荷效应之测试结构与方法
摘要 一种半导体制程测试结构,其包括一电极、一电荷捕捉层、以及一扩散区域。此测试结构系为一类电容结构,其中电荷捕捉层会捕捉在不同制程步骤中所产生的电荷。可接着使用闸极诱发汲极漏电流(GIDL)测量技术以标准化此测试结构的充电状态。
申请公布号 TW200814278 申请公布日期 2008.03.16
申请号 TW095132795 申请日期 2006.09.05
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 李明修;吴昭谊;郭明昌
分类号 H01L23/544(2006.01);H01L21/66(2006.01) 主分类号 H01L23/544(2006.01)
代理机构 代理人 李贵敏
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路16号