发明名称 | 一种用以在半导体制程之中侦测电荷效应之测试结构与方法 | ||
摘要 | 一种半导体制程测试结构,其包括一电极、一电荷捕捉层、以及一扩散区域。此测试结构系为一类电容结构,其中电荷捕捉层会捕捉在不同制程步骤中所产生的电荷。可接着使用闸极诱发汲极漏电流(GIDL)测量技术以标准化此测试结构的充电状态。 | ||
申请公布号 | TW200814278 | 申请公布日期 | 2008.03.16 |
申请号 | TW095132795 | 申请日期 | 2006.09.05 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 李明修;吴昭谊;郭明昌 |
分类号 | H01L23/544(2006.01);H01L21/66(2006.01) | 主分类号 | H01L23/544(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 李贵敏 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |