| 发明名称 | 具有可控制导电性的半导体材料及器件的制造 | ||
| 摘要 | 本发明叙述一种保护半导体材料(30、50)表面免受损伤及掺杂剂钝化的方法。在成长反应器(10)，如金属有机化学气相沉积(MOCVD)反应器内利用MOCVD来源气体成长半导体材料之后，立刻在半导体材料上沉积一层密集或反应性材料的阻挡层。该阻挡层(32、52)阻止氢扩散到材料内部。反应器(10)随后可在反应性或非反应性气氛下冷却；然后，可从反应器(10)中取出具有极少或没有渗杂剂钝化的半导体材料。阻挡层(32、52)可利用包括湿式化学蚀刻的蚀刻方法去除或可保留在半导体材料上以保护表面。阻挡层(32、52)亦可为一层可与半导体材料内部所吸附的氢化学结合，及/或阻止氢扩散到材料内部之吸气层。 | ||
| 申请公布号 | CN1443373A | 申请公布日期 | 2003.09.17 |
| 申请号 | CN01809456.2 | 申请日期 | 2001.03.13 |
| 申请人 | 美商克立光学公司 | 发明人 | 大衛卡波尼克;布來安貝歐特 |
| 分类号 | H01L33/00;H01L21/205 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 钱慰民 |
| 主权项 | 1.一种用于在半导体材料成长时或成长后防止或降低半导体材料中受体或施体钝化的方法，其特征在于所述的方法包含：在反应器(10)内以成长温度成长该半导体材料(30、50)；及在该半导体材料(30、50)仍在该反应器(10)内时，在该半导体材料上沉积一钝化阻挡层(32)。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||