| 发明名称 | 基板处理方法及基板处理装置 | ||
| 摘要 | 提供可选择性地除去氮化膜之基板处理方法。于具有由SiO2 所构成之热氧化膜51及由SiN所构成之氮化矽膜52之晶圆W,使氧气电浆化之氧电浆接触氮化矽膜52而使氮化矽膜52变化成一氧化矽膜54,对该一氧化矽膜54供应HF气体,利用 HF气体所产生之氟酸对一氧化矽膜54实施选择性地蚀刻。 | ||
| 申请公布号 | TW200818316 | 申请公布日期 | 2008.04.16 |
| 申请号 | TW096123567 | 申请日期 | 2007.06.28 |
| 申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 西村荣一;八田浩一 |
| 分类号 | H01L21/318(2006.01);H01L21/316(2006.01);H01L21/31(2006.01) | 主分类号 | H01L21/318(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 林志刚 | |
| 主权项 | |||
| 地址 | 日本 | ||