发明名称 绝缘膜乾蚀刻方法
摘要 课题 在椭圆图案的深孔加工,进行改善起因于蚀刻初期的过剩堆积的短径侧的开口性不足的高精度加工。解决手段 一种绝缘膜乾蚀刻方法,属于使用碳氟化合物气体进行处理形成有椭圆图案掩模的被加工试料的绝缘膜乾蚀刻方法,其特征为:将蚀刻步骤从开始蚀刻就分割成第一步骤与第二步骤,第一步骤,是将蚀刻中的聚合物量设定成比第二步骤还少,而且将第一步骤时间,因应于椭圆图案的椭圆率(长径尺寸对于短径尺寸的比率)加以控制。
申请公布号 TW200818301 申请公布日期 2008.04.16
申请号 TW096101784 申请日期 2007.01.17
申请人 日立全球先端科技股份有限公司 发明人 根岸伸幸;尾山正俊;角屋诚浩
分类号 H01L21/306(2006.01);H01L21/8242(2006.01) 主分类号 H01L21/306(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本