半导体装置之研磨方法

摘要

提供一种半导体装置之研磨方法,其特征系连续地以一种研磨液进行研磨阻障金属膜及导体膜;该阻障金属膜系一面地形成在具有凹部之基板或形成于该基板上之层间绝缘膜的表面;而该导体膜系由铜或铜合金所构成,形成于该阻障金属膜的表面用以将前述凹部填埋;上述研磨液系含有下述通式(I)所示之阻障金属膜研磨速度调整剂、胺基酸、氧化剂及研磨粒子,R^1-CH2-SO3H 通式(I)(通式(I)中,R^1系表示H、CH3、或NH2)。