半导体激光器件以及光盘再现和记录装置

摘要

本发明提供一种具有大于760nm且小于800nm的振荡波长、高可靠性、长工作寿命和高输出的半导体激光器件，及利用所述半导体激光器件的光盘再现和记录装置。至少第一和第二下盖层103和133、由阱层和垒层构成的的量子阱有源层105及第一和第二上盖层107和109层叠在GaAs衬底上。阱层和垒层由InGaAsP制成，阱层的总层厚d为160，假定阱层的层厚是d且阱层的每一层的光限制因数是Γ，那么Γ/d不小于2.2×10^－4^－1。

主权项

1.一种半导体激光器件，其由在GaAs衬底上层叠的至少一第一导电型下盖层、一包括阱层和垒层的量子阱有源层和一第二导电型上盖层构成，并具有大于760nm且小于800nm的振荡波长，其中该阱层和垒层由InGaAsP、InGaP或GaAsP制成，以及假定该阱层的层厚是d且阱层的每一层的光限制因数是Γ，那么Γ/d不小于2.2×10-4-1。