发明名称 在接触孔中形成的配线分层结构,配线分层结构的制作方法,以及具有该配线分层结构的显示装置
摘要 通过使用氢氟酸缓冲液进行蚀刻,在SiO<SUB>2</SUB>制成的栅极绝缘薄膜和形成于栅极绝缘薄膜上的由SiN制成的层间绝缘薄膜中形成接触孔。在该接触孔中,形成一电极包括:由耐熔性金属制成的第一保护金属层;形成于第一保护金属层上且由电阻低于耐熔性金属的电阻的金属制成的配线层;以及由耐熔性金属制成的且厚度大于栅极绝缘薄膜厚度的第二保护金属层。
申请公布号 CN1442838A 申请公布日期 2003.09.17
申请号 CN03104380.1 申请日期 2003.02.10
申请人 三洋电机株式会社 发明人 長谷川勲;鈴木浩司
分类号 G09G3/20 主分类号 G09G3/20
代理机构 上海专利商标事务所 代理人 张政权
主权项 1.一种在形成于绝缘薄膜中的接触孔中提供的配线分层结构,在所述绝缘薄膜中,由不同材料制成的第一绝缘层和第二绝缘层依次层叠,其特征在于所述配线分层结构包括:第一金属层,它由耐熔性的金属制成;配线层,它形成于所述第一金属层上,且由电阻比耐熔性金属的电阻低的金属制成;以及,第二金属层,它形成于所述配线层上,由耐熔性金属制成使得厚度厚于所述第一金属层。
地址 日本大阪府