一种硅太阳能电池P－N结的制作方法

摘要

本发明涉及一种硅太阳能电池P-N结的制作方法，它包括以下步骤：首先在硅片的一面涂上掺杂物源材料，并对此涂层进行干燥处理，以使硅片的一面形成有源面，另一面为无源面，然后将硅片放入扩散炉中焙烧，其特征在于：将所述硅片每两片为一组，将每组的所述两硅片的有源面相对，并将相邻组的所述两硅片的无源面相对放置在一固定装置中。本发明在其它工艺条件相同的情况下，可以有效地提高太阳能电池P-N结表面电阻的均匀度和光电转换效果，同时可以提高生产效率，节省能源，减少对环境的污染，它可以广泛用于各种硅太阳能电池P-N结的制作中。

主权项

1、一种硅太阳能电池P-N结的制作方法，它包括以下步骤：首先在硅片的一面涂上掺杂物源材料，并对此涂层进行干燥处理，以使硅片的一面形成有源面，另一面为无源面，然后将硅片放入扩散炉中焙烧，其特征在于：将所述硅片每两片为一组，将每组的所述两硅片的有源面相对，并将相邻组的所述两硅片的无源面相对放置在一固定装置中。