| 摘要 |
一种磁性记忆装置，即使提高记忆密度，仍可提升使用于记忆单元之磁阻效果元件之记忆层之记忆保持状态的安定性，可得可靠性高之磁性记忆装置。前述记忆单元系具备具有于各别选择对应第1之写入配线之前述第2之写入配线时被选择，于前述第1及第2之写入配线，经由流动各电流产生之磁场，记忆欲写入资讯之记忆层的磁阻效果元件，和包围前述第1之写入配线地加以设置，形成前述记录层和磁性闭电路地，两端部配置于前述记录层之磁化容易轴方向的第1之构造构件，和包围前述第2之写入配线地加以设置，强化前述记录层之磁化困难轴方向之磁场地，两端部配置于前述记录层之磁化困难轴方向的第2之构造构件；前述第1之构造构件之各前述两端部乃较前述第2之构造构件之各前述两端部，于前述记录层之附近加以配置。 |
