发明名称 半导体装置
摘要 【课题】提供降低由藉由接合构件电气接合的外壳电极与半导体晶片的相互的热变形差产生的接合构件的应变,谋求热疲劳寿命的提高,并且提高半导体晶片的散热性的半导体装置。【解决手段】一种半导体装置,在外壳电极内的顶面具备藉由接合构件搭载的半导体晶片与在此半导体晶片的顶面藉由接合构件搭载的导线,在外壳电极的空间内填充密封接合部分的绝缘构件,其中藉由在半导体晶片端部正下方的前述外壳电极的顶面设有沟槽,以降低因半导体晶片与外壳电极的线膨胀率的差在接合构件的端部大大地产生的热应变,谋求热疲劳寿命的提高,得到优良的散热性。
申请公布号 TW200304260 申请公布日期 2003.09.16
申请号 TW092100109 申请日期 2003.01.03
申请人 日立制作所股份有限公司 发明人 山崎美淑;山崎龙雄
分类号 H02K19/36 主分类号 H02K19/36
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本