| 摘要 |
本发明揭示一种位于InP层上具有一GaAs/A1(Ga)ASDBR镜的垂直腔表面发射雷射。一第一GaAs层系藉由MOCVD生长于一InP层上，生长温度为400至450℃之间。然后一第二GaAS层系藉由MOCVD生长于该第一GaAs层上，生长温度约为600℃。接着一GaAs/A1(Ga)AsDBR镜系生长于该第二GaAs层上。一绝缘层最好系置放于该第二GaAs层与该GaAs/A1(Ga)AsDBR镜之间。该绝缘层包含一开孔，其曝露于该第二GaAs层。再接着该GaAs/A1(Ga)AsDBR镜系藉由横向磊晶过生长(overgrowth)方法而生长。该较低DBR可包括一材料，该材料提供与InP层之间的一可接受晶格匹配。一穿隧接面可形成于一InP作用区域上。 |
