形成相位可变化层之方法以及利用其制造半导体记忆体装置之方法

摘要

本发明揭示一种相位可变化层及一种形成其之方法。于该方法中，将一第一氢气以一第一流动速率引入至一其中装有一基板之反应室中以形成第一电浆。在该反应室中使用前体来实施一初级循环CVD制程以在该基板上形成一具有一第一晶粒大小之下相位可变化层。将一第二氢气以一小于该第一流动速率之第二流动速率引入至该反应室中以形成第二电浆。在该反应室中使用该等前体来实施一次级循环CVD制程以在该基板上形成一具有一小于该第一晶粒大小之第二晶粒大小之上相位可变化层，从而形成一相位可变化层。因此，该相位可变化层可具有相对于一下层之强黏着强度及良好的电特性。