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发明名称 Method of forming a semiconductor device having an energy absorbing layer and corresponding structure
摘要
申请公布号 AU2003212468(A8) 申请公布日期 2003.09.16
申请号 AU20030212468 申请日期 2003.02.26
申请人 FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. 发明人 MICHAEL J. RENDON;WILLIAM J. JR. TAYLOR;DAVID C. SING
分类号 H01L21/268;H01L21/336;H01L21/84;H01L29/786;(IPC1-7):H01L21/324;H01L21/24 主分类号 H01L21/268
代理机构 代理人
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