| 发明名称 | 制造记忆体的方法、记忆装置及操作存取记忆装置的方法 | ||
| 摘要 | 本发明是有关于一种制造记忆体的方法、记忆装置及操作存取记忆装置的方法，是揭露一种具有至少一多阶记忆单元的记忆装置，以及每一多阶记忆单元被组设来储存n个位元(而n是一整数)，其中该复数位元是储存至一电荷储存层，而藉由施加一电压来设定或重置该记忆单元的临界电压Vt至2<SUP>n</SUP>阶层之一，来捕捉注射出的电荷载子。每一记忆单元可以程式化至一复数个2<SUP>n</SUP>阶层之一，其中每一阶层代表n个位元。本发明的制造记忆体的方法，尤其可以用来制造挥发性记忆体。本发明的新的记忆装置，尤其可以利用于挥发性记忆体。本发明的操作存取记忆装置的方法，可以用来操作上述的记忆装置，能够达成在记忆单元中储存多位元的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101355030A | 申请公布日期 | 2009.01.28 |
| 申请号 | CN200810100436.2 | 申请日期 | 2008.06.11 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 吴昭谊 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L29/78(2006.01);G11C11/4063(2006.01);G11C16/10(2006.01);G11C16/14(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 1、一种制造记忆体的方法，其特征在于其包括以下步骤：一基板；一电荷储存层，形成于该基板之上与该基板直接接触；一绝缘层，形成于该电荷储存层之上；以及一多晶硅层，形成于该绝缘层之上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||