发明名称 用于抛光由半导体材料构成的基材的方法
摘要 本发明涉及用于抛光由半导体材料构成的基材的方法,该方法包括至少一个A型抛光步骤,所述基材借助该步骤在抛光布上被抛光,该抛光布包含粘结于抛光布中的磨料,其中在该抛光步骤中将抛光剂溶液施加至基材与抛光布之间;以及至少一个B型抛光步骤,所述基材借助该步骤在抛光布上被抛光,该抛光布包含粘结在抛光布中的磨料,其中在该抛光步骤中将包含非粘结的磨料的抛光剂浆料施加至基材与抛光布之间。
申请公布号 CN101355032A 申请公布日期 2009.01.28
申请号 CN200810130056.3 申请日期 2008.07.24
申请人 硅电子股份公司 发明人 J·施万德纳;T·布施哈尔特;R·考珀特;G·皮奇
分类号 H01L21/304(2006.01);B24B29/00(2006.01);C09G1/02(2006.01) 主分类号 H01L21/304(2006.01)
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 过晓东
主权项 1、用于抛光由半导体材料构成的基材的方法,其包括至少一个A型抛光步骤,所述基材借助该步骤在抛光布上被抛光,该抛光布包含粘结于抛光布中的磨料,其中在该抛光步骤中将抛光剂溶液施加至所述基材与所述抛光布之间;以及至少一个B型抛光步骤,所述基材借助该步骤在抛光布上被抛光,该抛光布包含粘结在抛光布中的磨料,其中在该抛光步骤中将包含非粘结的磨料的抛光剂浆料施加至所述基材与所述抛光布之间。
地址 德国慕尼黑