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<p>Ein integrierter Festwertspeicher enthält Auswahltransistoren mit je einem Drain-Anschluss sowie eine Elektrode zur Zufuhr einer Spannung oder eines Stromes. Es ist eine Schicht zwischen den Drain-Anschlüssen und der Elektrode vorgesehen, deren elektrischer Widerstand durch Einwirkung einer Konfigurierungs-Spannung oder eines Konfigurierungs-Stromes änderbar ist. Die Schicht wird im Backend-Prozess aufgebracht.</p> |
