用以形成具有高宽高比接触开口之电力装置之结构与方法

摘要

一场效电晶体(FET)系包括位于一第二传导类型的一半导体区上方之一第一传导类型的体部区。第二传导类型的源极区延伸于体部区上方。闸极电极与体部区相邻地延伸但藉由一闸极介电层与其绝缘。接触开口在相邻的闸极电极之间延伸至体部区中。一籽层沿着各接触开口的底部延伸。籽层作为一用于促进传导性充填材料生长之长晶部位。一传导性充填材料系充填各接触开口的一下部分。一互连层充填各接触开口的一上部分且直接接触于传导性充填材料。互连层亦沿着接触开口的上侧壁直接接触于对应的源极区。