| 主权项 |
1.一种呈吸收结构形式之包括开放胞眼发泡体之吸收物件,该结构具有流体接收之上表面、相对该上表面之下表面、周边边缘以及由该表面界定的核心区域,该结构具有增强流体自上表面输入核心区域之装置,该装置系选自由下列所组成之群组:a)该发泡体的局部膨胀区域;b)发泡体中的开孔,该开孔具有周边;c)上表面与上片的整合体;及d)a)、b)和c)之组合。2.根据申请专利范围第1项之吸收物件,其中该开孔通过该吸收结构之整个核心。3.根据申请专利范围第1项之吸收物件,其中该开孔终止于该吸收结构之核心内。4.根据申请专利范围第1项之吸收物件,其中该开孔分别具有0.8至13平方毫米之面积。5.根据申请专利范围第1项之吸收物件,其中该吸收发泡体在该开孔之周边具有不小于该开孔周围的吸收发泡体厚度80%之厚度。6.根据申请专利范围第1项之吸收物件,其中该膨胀区域在该吸收结构之周边边缘形成一个带。7.根据申请专利范围第6项之吸收物件,其中该带为间断性。8.根据申请专利范围第1项之吸收物件,其中该开放胞眼发泡体为一种高内相乳化(HIPE)发泡体。9.根据申请专利范围第8项之吸收物件,其中该开放胞眼发泡体为一种乾后薄(TAD)型HIPE发泡体。10.根据申请专利范围第1项之吸收物件,其中该吸收结构为一个完整垫。11.根据申请专利范围第1项之吸收物件,其中该吸收结构为一个多层垫。12.一种由选择性膨胀使开放胞眼发泡体吸收材料浮凸之方法,其包括以下步骤:a)提供一种TAD发泡体吸收材料,b)由辐射或对流加热处理该发泡体材料,由此减少所选择发泡体区域中的湿气含量。13.根据申请专利范围第12项之方法,其进一步包括其中提供除去冷凝水所用装置之步骤。14.一种使开放胞眼发泡体吸收材料开孔之方法,其包括以下步骤:a)提供一种TAD发泡体吸收结构,b)用一装置处理该发泡体工具,这将强加一种开孔图案,该方法系选自压切技术、喷砂、雷射切制、喷气、喷水、针剌、钻孔、冲孔及超声波方法。15.根据申请专利范围第14项之方法,其进一步包括去除该处理装置以使该发泡体结构处理中断之步骤。16.根据申请专利范围第14项之方法,其进一步包括使该经开孔之发泡体再膨胀之步骤。17.一种将具有流体接收上表面的开放胞眼发泡体之吸收结构整合到具有下表面之上片之方法,其包括以下步骤:a)提供吸收结构和上片,b)将胶水涂覆于该上片和吸收结构之上表面之间,c)施加足够压力,以将吸收结构的上表面上存在的有效量表面活性剂/乳化剂转移到上片之下表面。18.根据申请专利范围第17项之方法,其中该压力系以点图案形式施加。图式简单说明:图1显示已选择性膨胀及开孔的TAD发泡体之横截面。图2显示再膨胀前具有通过选择性膨胀部分的单独开孔之TAD发泡体之横截面。图3显示发泡体再膨胀后具有通过选择性膨胀部分的单独开孔之TAD发泡体之横截面。 |
