| 主权项 |
1.一种用来支撑一基材的基材支撑件,其至少包含:一陶瓷本体,具有一上部及一下部,该上部具有一支撑表面及该下部具有一底面;至少一通道,其被设置在该陶瓷本体的下部内并具有一第一端被该上部所部分关闭;至少一出口,其被设置穿过该上部之关闭该通道的部分并流体地将该通道耦合至支撑表面的部分上;及一多孔件,其被设置在该通道内。2.如申请专利范围第1项所述之基材支撑件,其中该多孔件及陶瓷本体被共烧(co-fired),热压或烧结成为一单一构件。3.如申请专利范围第1项所述之基材支撑件,其中该陶瓷本体的至少一部分是由一陶瓷材质所制成,其具有一介于1x109至1x1011-cm的电阻系数。4.如申请专利范围第1项所述之基材支撑件,其中该陶瓷本体的下部具有一电阻系数其高于上部的电阻系数。5.如申请专利范围第1项所述之基材支撑件,其中该多孔件为介电质。6.如申请专利范围第1项所述之基材支撑件,其中该多孔件为陶瓷。7.如申请专利范围第6项所述之基材支撑件,其中该多孔件包含氮化铝或氧化铝。8.如申请专利范围第1项所述之基材支撑件,其中该多孔件的直径小于4mm。9.如申请专利范围第1项所述之基材支撑件,其中该出口的直径在2至4米尔(mil)之间。10.如申请专利范围第1项所述之基材支撑件,其中每一通道具有8到21个出口与其相耦合。11.如申请专利范围第1项所述之基材支撑件,其中该陶瓷本体的上部具有1x109至1x1011-cm的电阻系数。12.如申请专利范围第11项所述之基材支撑件,其中该陶瓷本体的下部具有一电阻系数其高于上部的电阻系数。13.如申请专利范围第1项所述之基材支撑件,其更包含一介电涂层,其被设置在该陶瓷本体的至少一侧上。14.一种用来支撑一基材的基材支撑件,其至少包含:一陶瓷本体,其具有一上部及一下部,该上部具有一支撑表面及该下部具有一底面;一或多个导电件,其被设置在该陶瓷本体内;至少一通道,其被设置在该陶瓷本体的下部内并具有一第一端被该上部所部分关闭;至少一出口,其被设置穿过该上部之关闭该通道的部分并流体地将该通道耦合至支撑表面的部分上;及一多孔陶瓷件,其被设置在该通道内且被处理用以与该陶瓷本体成为一单一构件。15.如申请专利范围第14项所述之基材支撑件,其中该多孔件及陶瓷本体被共烧(co-fired),热压或烧结成为一单一构件。16.如申请专利范围第14项所述之基材支撑件,其中该陶瓷本体的至少一部分是由一陶瓷材质所制成,其具有一介于1x109至1x1011-cm的电阻系数。17.如申请专利范围第14项所述之基材支撑件,其中该多孔件的直径小于4mm。18.如申请专利范围第14项所述之基材支撑件,其中该出口的直径在2至4米尔(mil)之间。19.如申请专利范围第18项所述之基材支撑件,其中每一通道具有8到21个出口与其相耦合。20.如申请专利范围第14项所述之基材支撑件,其中该陶瓷本体的上部具有1x109至1x1011-cm的电阻系数。21.如申请专利范围第14项所述之基材支撑件,其中该陶瓷本体的下部具有一电阻系数其高于上部的电阻系数。22.如申请专利范围第14项所述之基材支撑件,其更包含一介电涂层,其被设置在该陶瓷本体的至少一侧上。23.一种用来处理一基材的处理室,其至少包含:一可抽真空的室,其具有一内部体积;一气体供应,其被流体地耦合至该内部体积;一静电夹头,其被设置于该内部体积内,该静电夹头包含:一陶瓷本体,其具有一上部及一下部,该上部具有一支撑表面及该下部具有一底面;一或多个导电件,其被设置在该陶瓷本体内;至少一通道,其被设置在该陶瓷本体的下部内并具有一第一端被该上部所部分关闭;至少一出口,其被设直穿过该上部之关闭该通道的部分并流体地将该通道耦合至支撑表面的部分上;及一多孔件,其被设置在该通道内。24.如申请专利范围第23项所述之处理室,其中该多孔件及陶瓷本体被共烧(co-fired),热压或烧结成为一单一构件。25.如申请专利范围第23项所述之处理室,其中该多孔件包含氮化铝或氧化铝。26.如申请专利范围第2项所述之处理室,其中该陶瓷本体具有一介于1x109至1x1011-cm的电阻系数。27.如申请专利范围第23项所述之处理室,其中该多孔件为介电质。28.如申请专利范围第23项所述之处理室,其中该多孔件为陶瓷。29.如申请专利范围第28项所述之处理室,其中该多孔件包含氮化铝或氧化铝。30.如申请专利范围第23项所述之处理室,其中该多孔件的直径在2至4米尔(mil)之间。31.如申请专利范围第23项所述之处理室,其中其中该出口的直径在2至4米尔(mil)之间。32.如申请专利范围第31项所述之处理室,其中每一通道具有8到21个出口与其相耦合。33.如申请专利范围第23项所述之处理室,其更包含一班子其被耦合至该陶瓷本体的底面上。34.一种制造一陶瓷基材支撑件的方法,其至少包含:形成一或多个盲孔于一第一陶瓷件的一第一侧上;将一多孔陶瓷件插入每一盲孔中;将一第二陶瓷件设置于该第一陶瓷件的该第一侧上;及处理该第一陶瓷件,第二陶瓷件及多孔陶瓷件用以形成一单一的陶瓷本体。35.如申请专利范围第34项所述之方法,其中该处理步骤更包含热压或烧结。36.如申请专利范围第34项所述之方法,其更包含:将一或多个电极设置在第一陶瓷件与第二陶瓷件之间。37.如申请专利范围第34项所述之方法,其更包含:形成一或多个出口于该第一陶瓷件中介于每一盲孔与第一陶瓷件的一第二侧之间。38.如申请专利范围第37项所述之方法,其中形成一或多个出口的步骤更包含钻8到21个孔穿过该第一陶瓷件至每一盲孔中。39.如申请专利范围第34项所述之方法,其更包含用一介电材来涂覆该第二陶瓷件与该第一陶瓷件相对的至少一侧。40.如申请专利范围第39项所述之方法,其中该处理步骤包含将该第一陶瓷件,第二陶瓷件,多孔陶瓷件及该介电材质烧结或热压成为一单一的陶瓷本体。图式简单说明:第1图为其内设置有依据本发明的静电夹头之处理室的示意图;第2图为第1图之静电夹头的部分剖面图;及第3图为第2图之静电夹头的部分平面图。 |
