发明名称 具介电涂层之静电吸座
摘要 就广义而言,本发明提供者为一种基材支撑器。在一实施例中,该基材支撑器包含一本体及至少一侧边,其中该本体具有一支撑表面及一底部表面,且该底部表面与该支撑表面相对而立。该基材支撑器更包含一或多导电薄膜及一镀层,其中该等薄膜位于该本体之内,该镀层则位于该支撑表面、该底部表面、该至少一侧边或该三者之各种组合之上。
申请公布号 TW552664 申请公布日期 2003.09.11
申请号 TW091115366 申请日期 2002.07.10
申请人 应用材料股份有限公司 发明人 阿诺德V 寇隆迪孔;麦可G 恰芬;布莱德梅斯;石川哲也;亚南达H 库默;丹尼斯 S 葛利迈德
分类号 H01L21/68 主分类号 H01L21/68
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路一四八号十二楼
主权项 1.一种基材支撑器,其至少包含:一本体,具有一支撑表面、一底部表面、及至少一侧边,其中该底部表面与该支撑表面相对而立,而该至少一侧边与该支撑表面及该底部表面相接;一或多导电薄膜,位于该本体之内;及一介电镀层,位于该支撑表面、该底部表面、该至少一侧边或该三者之各种组合的至少一者之上。2.如申请专利范围第1项所述之基材支撑器,其中该介电镀层另加于至少该支撑表面或该侧之上。3.如申请专利范围第1项所述之基材支撑器,其中该介电镀层及支撑本体一块加以共热、热压或烧结处理而形成一单一组件。4.如申请专利范围第1项所述之基材支撑器,其中该介电镀层至少包含一介电常数介于约2.5至约7之间的材料。5.如申请专利范围第1项所述之基材支撑器,其中该介电镀层至少包含一氮化矽、二氧化矽、二氧化铝、五氧化钽、碳化矽及聚醯亚胺组成之群组选出之材料。6.如申请专利范围第1项所述之基材支撑器,其中该本体至少包含一陶瓷材料。7.如申请专利范围第6项所述之基材支撑器,其中该陶瓷材料之阻抗介于约109至约1011欧姆-公分。8.如申请专利范围第6项所述之基材支撑器,其中该陶瓷材料之阻抗大于或等于约1011欧姆-公分。9.如申请专利范围第1项所述之基材支撑器,其中更包含一多孔组件,该多孔组件位于该本体内,并以流体可相通之方式与该支撑表面相接。10.如申请专利范围第9项所述之基材支撑器,其中该多孔组件至少包含一陶瓷材料。11.如申请专利范围第9项所述之基材支撑器,其中该多孔组件及支撑本体一块加以共热、热压或烧结处理而形成一单一组件。12.如申请专利范围第9项所述之基材支撑器,其中该本体更包含:一部份,隔离该多孔组件与该支撑表面;一或多出口,穿设于该部份中,其中该部份以流体可相通之方式将该多孔组件耦合至该支撑表面。13.如申请专利范围第1项所述之基材支撑器,其中该本体更包含复数个凸块,且该等凸块自该本体处开始延伸。14.如申请专利范围第13项所述之基材支撑器,其中该凸块更包含一介电层,且该介电层位于该凸块之上。15.一种基材支撑器,其至少包含:一陶瓷支撑本体,具有一支撑表面及一底部表面,其中该支撑表面用以支撑一基材,而该底部表面与该支撑表面相对而立;复数个洞,位于该支撑表面中,且该支撑表面与该本体中之一通道耦接;一或多导电薄膜,位于该支撑本体之内;一镀层,位于该支撑表面、该底部表面、该至少一侧边或该三者之各种组合的至少一者之上;及一陶瓷多孔组件,位于该通道之内,并将该支撑表面与具有洞于其中之本体的一部份相隔。16.如申请专利范围第15项所述之基材支撑器,其中该介电镀层另加于该支撑表面或该本体之一侧边之至少一者上。17.如申请专利范围第15项所述之基材支撑器,其中该介电镀层至少包含一介电常数介于约2.5至约7之间的材料。18.如申请专利范围第15项所述之基材支撑器,其中该介电镀层至少包含一氮化矽、二氧化矽、二氧化铝、五氧化钽、碳化矽及聚醯亚胺组成之群组选出之材料。19.如申请专利范围第15项所述之基材支撑器,其中该陶瓷支撑本体更包含:一上部份,阻抗介于约1011至约1011欧姆-公分之间,并位于该导电组件及该支撑表面之间。20.如申请专利范围第19项所述之基材支撑器,其中该陶瓷之撑本体之下部份的阻抗高于该上部份的阻抗。21.如申请专利范围第19项所述之基材支撑器,其中该多孔组件及支撑本体一块加以共热、热压或烧结处理而形成一单一组件。22.如申请专利范围第15项所述之基材支撑器,其中该多孔组件、该镀层、该本体之上部份及下部份一块加以共热、热压或烧结处理而形成一单一组件。23.一种处理一基材之处理室,其至少包含:一可抽气处理室,构成一内部空间;一气流供应器,以流体科相通之方式与该内部空间耦接;一温度控制板,位于该内部空间内;及一静电吸座,其至少包含:一支撑本体,具有一上部份及一下部份,该上部份具有一支撑表面,而该下部份具有一底部表面,且该底部表面位于该温度控制板之上;一或多导电薄膜,位于该本体之内;及一介电镀层,位于该底部表面之上。24.如申请专利范围第23项所述之处理室,其中该静电吸座更包含:至少一通道,位于该支撑本体之下部份之内,并具有一第一端,其中该第一端至少部份密闭该上部份;至少一出口,穿设于该支撑本体之上部份内,并以流体可流动之方式将该通道耦接至该支撑表面;及一多孔组件,位于该通道内。25.如申请专利范围第24项所述之处理室,其中该支撑本体及多孔组件至少包含陶瓷材料,并一块经加热、烧结或热压处理而成一单一组件。26.如申请专利范围第24项所述之处理室,其中该可抽气室为一蚀刻室、物理气相沉积室或化学气相沉积室。27.如申请专利范围第24项所述之处理室,其中该介电镀层另加于该支撑表面或该本体之一侧边的至少一者之上。图式简单说明:第1图为一处理室之剖面示意图,其中具有一基材支撑器实施例;第2图为第1图之基材支撑器的剖面图;第3图为另一基材支撑器实施例;
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