| 主权项 |
1.一种化学气相沉积反应器,其具有一个制程反应室(101),可装载一个供晶圆(5)用的基板支持件(4A)、一制造晶圆之反应气体之第一气流(1),以及围绕着基板支持件之一冠状气体收集器,其中该反应器进一步包含:一基底板(30)及一覆盖板(20),分别设置于基板支持件之下方与上方,一外环(10),其围绕气体收集器(16)并同时接触基底板(30)与覆盖板(20),以及非反应气体之第二气流(2),在称为第一空间(101)之制程反应室之外部空间中传递,该第一空间藉由基底板与覆盖板及外环所界定,而做为逆流(2)之该第二气流可防止第一反应气流(1)不经由气体收集器(16)离开制程反应室。2.如申请专利范围第1项之反应器,其中该外环(10)具有各自与覆盖板及基底板接触之顶端与下端平坦表面,而该顶端及下端表面设有凹槽或凹凸不平区域,以容许做为逆流(2)之第二气流经由介于外环及覆盖与基底板之间的界面流入。3.如申请专利范围第1或2项之反应器,其中该基底支持件(4A)藉由一旋转轴(4C)来支持,经由基底板(30)中的洞(32)进入制程反应室(101)。4.如申请专利范围第3项之反应器,其中该轴藉由一环状部分(4B)连接至基板支持件(4A),该环状部分大于在基底板(30)中供旋转轴(4C)用之洞(32),而其中连接基板支持件至旋转轴之该环状部分(4B)由较基板支持件之孔少之材料制成。5.如申请专利范围第4项之反应器,其中制程温度在约300至1500℃之范围,以及连接基板支持件(4A)至旋转轴(4C)之该环状部分(4B)由进一步适于承受高温之材料制成。6.如申请专利范围第1项之反应器,其中第一空间(101)藉由第二及第三空间来围绕,而第二及三空间经由一实质上圆柱体周围壁(19C)、一下部平行壁(19A)及覆盖板(28)所界定,其中一壁包含供逆流(2)用之引入口,而覆盖板包含供反应气流(1)用之引入口。7.如申请专利范围第1项之反应器,其中基底板包含设置于基板支持件之下的第一外部环状基底板部分(30A),以及可支持第一环状基底板部分(30A)、气体收集器(16)及外环(10)之第二周围环状基底板部分(30B),为了产生晶圆之自由通路以供晶圆运作操纵,第二环状基底板部分(30B)可依据第一环状基底板部分(30A)在向下的方向移动。8.如申请专利范围第7项之反应器,其中周围壁(19A)包含一闸门阀,可产生晶圆之通路。9.如申请专利范围第8项之反应器,其中第一及第二环状基底板部分(30A,30B)之接触表面以凹槽或凹凸不平区域设置,以容许第二气流(2)经由介于该接触表面之界面充当逆流。10.如申请专利范围第1项之反应器,其中,为了引进供检视在基板支持件上之晶圆用之光束,管(57)经由分穿过外环(10)及气体收集器(16)的洞(55,58)而插入。11.如申请专利范围第10项之反应器,其中一块固体材料(56),表示为管窗口,其可穿光,该管窗口以一种方式插入管(57)中,使得管及管窗口之接触表面容许第二气流(2)充当一逆流,以防止第一反应气流离开制程反应室(101)。12.如申请专利范围第11项之反应器,其中圆柱体周围壁(19C)具有可透过光束之窗口(52),以经由管(57)引进该光束。13.如申请专利范围第1项之反应器,其中加热装置(7)装设于基底板之下,系用来加热基板支持件。14.如申请专利范围第1项之反应器,其中气体收集器由一环状顶端部分(15),一环状下部分(14)所组成,该顶端及下部分藉侧边凸缘(17,18)来连接以及藉螺钉(13)固定在一起,以及其中面对基板支持件之凸缘包含供第一反应气流用之排气口(12)。15.如申请专利范围第1项之反应器,其中一由气体收集器收集气体之充满气体空间(29)包含一管(29),其滑入气体收集器之洞(40)及基底板,而该管(29)具有装设有隆起物(29B)之墙(29A),以在管(29)及洞(40)之边缘(41)间产生一空间,以容许第二气流(2)充当一逆流。图式简单说明:图1为一个圆柱体化学沉积反应室之横剖面图,图2为此反应室之另一具体例之横剖面图,图3为图2之具体例开口在开启位置的横剖面图。图4为此反应室之另一具体例之横剖面图,图5A为冠状排气装置之放大图以及图5B显示排气部分。 |
