主权项 |
1.一种有机EL元件之阻隔(passivation)封装方法,包括:提供一透明基板,该透明基板上系已形成一复数个有机EL元件画素,且具有一复数个肋材(rib);形成一保护层,系于该有机EL元件画素表面镀着一保护层,且该保护层系为一无机材料;镀着一层或一层以上之阻隔(passivation)材料层,其中该阻隔(passivation)材料层,至少一层为高分子层,且该阻隔材料层是直接形成填补于该有机EL元件画素与该肋材间,或形成于该保护层上;涂着密封整个阻隔(passivation)材料层表面,系以一封装材料涂着覆盖以封装该阻隔材料层。2.如申请专利范围第1项所述之有机EL元件之阻隔封装方法,其中该保护层,系以一低温化学气相沈积方式镀着形成。3.如申请专利范围第1项所述之有机EL元件之阻隔封装方法,其中该保护层之材质可为SiOx、SiNx、SiOxNy、TiOx、AlOx等无机材料。4.如申请专利范围第1项所述之有机EL元件之阻隔封装方法,其中该保护层的膜厚控制在1至10000A之间。5.如申请专利范围第1项所述之有机EL元件之阻隔封装方法,其中该阻隔(passivation)材料层之高分子层材料,可为一热固性、UV固化、无溶剂型oligomer、sol-gel或有机/无机混成等材料所形成之高分子层。6.如申请专利范围第1项所述之有机EL元件之阻隔封装方法,其中该阻隔(passivation)材料层之高分子层材料,系以喷涂结合幕罩图样(Mask Pattern)或网版印刷等方式涂着于该有机EL元件画素上。7.如申请专利范围第6项所述之有机EL元件之阻隔封装方法,其中该喷涂或网版印刷的幕罩图样(Mask Pattern)个数与该透明基板上所形成之该有机EL元件区域个数相同且位置相对,且其幕罩图样(Mask Pattern)尺寸须大于有机EL元件区域尺寸。8.如申请专利范围第1项所述之有机EL元件之阻隔封装方法,其中该阻隔(passivation)材料层之高分子层膜厚,系以不低于肋材(rib)的高度,并控制在1至1000m之间。9.如申请专利范围第1项所述之有机EL元件之阻隔封装方法,其中该一层以上之阻隔(passivation)材料层之材料,可为一介电材质或金属材质等阻隔材料。10.如申请专利范围第1项所述之有机EL元件之阻隔封装方法,其中该封装材料,系以Epoxy胶、Acrylic胶、Silicone胶或各式热固化、UV胶等封装材料。11.一种有机EL元件之阻隔(passivation)封装结构,包括:一透明基板,该透明基板上具一复数个有机EL元件画素,且具有一复数个肋材(rib);一保护层,该保护层系位于该有机EL元件画素表面,且该保护层系为一无机材料;一层或一层以上之阻隔(passivation)材料层,其中该阻隔(passivation)材料层,至少一层为高分子层,且该阻隔材料层是直接形成填补于该有机EL元件画素与该肋材间,或形成于该保护层上;一封装材料层,系涂着密封整个阻隔(passivation)材料层表面。12.如申请专利范围第11项所述之有机EL元件之阻隔封装结构,其中该保护层系以一低温化学气相沈积方式镀着形成。13.如申请专利范围第11项所述之有机EL元件之阻隔封装结构,其中该保护层之材质可为SiOx、SiNx、SiOxNy、TiOx、AlOx等无机材料。14.如申请专利范围第11项所述之有机EL元件之阻隔封装结构,其中该保护层的膜厚控制在1至10000A之间。15.如申请专利范围第11项所述之有机EL元件之阻隔封装结构,其中该阻隔(passivation)材料层之高分子层材料,可为一热固性、UV固化、无溶剂型oligomer、sol-gel或有机/无机混成等材料所形成之高分子层。16.如申请专利范围第11项所述之有机EL元件之阻隔封装结构,其中该阻隔(passivation)材料层之高分子层材料,系以喷涂结合幕罩图样(MaskPattern)或网版印刷等方式涂着于该有机EL元件画素上。17.如申请专利范围第16项所述之有机EL元件之阻隔封装结构,其中该喷涂或网版印刷的幕罩图样(Mask Pattern)个数与透明基板上所形成有机EL元件区域个数相同且位置相对,且其幕罩图样(Mask Pattern)尺寸须大于有机EL元件区域尺寸。18.如申请专利范围第11项所述之有机EL元件之阻隔封装结构,其中该阻隔(passivation)材料层之高分子层膜厚,系以不低于肋材(rib)的高度,并控制在1至1000m之间。19.如申请专利范围第11项所述之有机EL元件之阻隔封装结构,其中该一层以上之阻隔(passivation)材料层之材料,可为一介电材质或金属材质等阻隔材料。20.如申请专利范围第11项所述之有机EL元件之阻隔封装结构,其中该封装材料,系以Epoxy胶、Acrylic胶、Silicone胶或各式热固化、UV胶等封装材料。21.一种有机EL元件之阻隔(passivation)封装方法,包括:提供一透明基板,该透明基板上系已形成一复数个有机EL元件画素,且具有一复数个肋材(rib);镀着一层或一层以上之阻隔(passivation)材料层,其中该阻隔(passivation)材料层,至少一层为高分子层,且该阻隔材料层是直接形成填补于该有机EL元件画素与该肋材间,或形成于该保护层上;涂着密封整个阻隔(passivation)材料层表面,系以一封装材料涂着覆盖以封装该阻隔材料层。22.如申请专利范围第21项所述之有机EL元件之阻隔封装方法,其中该阻隔(passivation)材料层之高分子层材料,可为一热固性、UV固化、无溶剂型oligomer、sol-gel或有机/无机混成等材料所形成之高分子层。23.如申请专利范围第21项所述之有机EL元件之阻隔封装方法,其中该阻隔(passivation)材料层之高分子层材料,系以喷涂结合幕罩图样(Mask Pattern)或网版印刷等方式涂着于该有机EL元件画素上。24.如申请专利范围第23项所述之有机EL元件之阻隔封装方法,其中该喷涂或网版印刷的幕罩图样(Mask Pattern)个数与该透明基板上所形成之该有机EL元件区域个数相同且位置相对,且其幕罩图样(Mask Pattern)尺寸须大于有机EL元件区域尺寸。25.如申请专利范围第21项所述之有机EL元件之阻隔封装方法,其中该阻隔(passivation)材料层之高分子层膜厚,系以不低于肋材(rib)的高度,并控制在1至1000m之间。26.如申请专利范围第21项所述之有机EL元件之阻隔封装方法,其中该一层以上之阻隔(passivation)材料层之材料,可为一介电材质或金属材质等阻隔材料。27.如申请专利范围第21项所述之有机EL元件之阻隔封装方法,其中该封装材料,系以Epoxy胶、Acrylic胶、Silicone胶或各式热固化、UV胶等封装材料。28.一种有机EL元件之阻隔(passivation)封装结构,包括:一透明基板,该透明基板上具一复数个有机EL元件画素,且具有一复数个肋材(rib);一层或一层以上之阻隔(passivation)材料层,其中该阻隔(passivation)材料层,至少一层为高分子层,且该阻隔材料层是直接形成填补于该有机EL元件画素与该肋材间,或形成于该保护层上;一封装材料层,系涂着密封整个阻隔(passivation)材料层表面。29.如申请专利范围第28项所述之有机EL元件之阻隔封装结构,其中该阻隔(passivation)材料层之高分子层材料,可为一热固性、UV固化、无溶剂型oligomer、sol-gel或有机/无机混成等材料所形成之高分子层。30.如申请专利范围第28项所述之有机EL元件之阻隔封装结构,其中该阻隔(passivation)材料层之高分子层材料,系以喷涂结合幕罩图样(MaskPattern)或网版印刷等方式涂着于该有机EL元件画素上。31.如申请专利范围第30项所述之有机EL元件之阻隔封装结构,其中该喷涂或网版印刷的幕罩图样(Mask Pattern)个数与透明基板上所形成有机EL元件区域个数相同且位置相对,且其幕罩图样(Mask Pattern)尺寸须大于有机EL元件区域尺寸。32.如申请专利范围第28项所述之有机EL元件之阻隔封装结构,其中该阻隔(passivation)材料层之高分子层膜厚,系以不低于肋材(rib)的高度,并控制在1至1000m之间。33.如申请专利范围第28项所述之有机EL元件之阻隔封装结构,其中该一层以上之阻隔(passivation)材料层之材料,可为一介电材质或金属材质等阻隔材料。34.如申请专利范围第28项所述之有机EL元件之阻隔封装结构,其中该封装材料,系以Epoxy胶、Acrylic胶、Silicone胶或各式热固化、UV胶等封装材料。图式简单说明:第一图为一已完成有机EL元件之透明基板示意图第二图为形成一保护层示意图第三(A)图为镀着阻隔材料层示意图第三(B)图为镀着介电/金属材质示意图第四图为涂着封装材料示意图第五(A)图为喷涂或网版印刷的幕罩图样示意图第五(B)图为该透明基板上所形成之该有机EL元件区域示意图第六(A)图~第六(D)图为本发明之一种有机EL元件之阻隔(passivation)封装结构示意图 |