| 主权项 |
1.一种光敏共聚物,其系由以C1至C20脂族烃为侧链之5-降冰片烯-2-甲醇衍生物单体与顺丁烯二酸酐单体聚合而得,其中该光敏聚合物系以下列化学式(1)表示:其中,R1为C1至C20脂族烃;i为整数;及该聚合物之重量平均分子量范围为3,000至100,000。2.根据申请专利范围第1项之光敏共聚物,其中该脂族烃基团为一种选自包含金钢烷基、降冰片基和异冰片基之组合的C7至C20脂环族烃。3.一种光敏聚合物,其系由三或更多种单体聚合而得,系包含:一或多种选自包含降冰片烯烷基酯、降冰片烯羧酸和(甲基)丙烯酸酯衍生物之组合的单体;以C1至C20脂族烃为侧链之5-降冰片烯-2-甲醇衍生物单体;和顺丁烯二酸酐单体,其中该光敏聚合物系以下列化学式(2)表示:其中,R1为C1至C20脂族烃;R2和R5分别为三级丁基或四氢喃基;R3为氢原子,甲基,乙基,正丁基或2-羟乙基;及R4为氢原子或甲基;k,l,m,n和p为整数,k/(k+l+m+n+p)的比率为0.1-0.5,l/(k+l+m+n+p)的比率为0.0-0.5,m/(k+l+m+n+p)的比率为0.0-0.5,n/(k+l+m+n+p)的比率为0.0-0.3,p/(k+l+m+n+p)的比率为0.0-0.4;及重量平均分子量为3,000-100,000。4.根据申请专利范围第3项之光敏共聚物,其中R1为C7至C20脂环族烃。5.根据申请专利范围第4项之光敏共聚物,其中该脂环族烃为金钢烷基,降冰片基或异冰片基。6.一种溶解抑制剂,其包含:一种选自包含各以酸不稳定基团为官能基之三环癸烷衍生物和萨洒皂草配基(sarsasapogenin)衍生物之组合的物质,其中该三环癸烷衍生物为双(三级丁氧基羰基氧基甲基)三环癸烷或双(四氢喃氧基甲基)三环癸烷;而该萨洒皂草配基衍生物为三级丁氧基羰基萨洒皂草配基或四氢喃基萨洒皂草配基。7.一种化学增幅型正光阻剂组成物,其包含:一种由三或更多种单体聚合而得之光敏聚合物,其包含一或多种选自包含降冰片烯烷基酯、降冰片烯羧酸与(甲基)丙烯酸酯衍生物、以C1至C20脂族烃为侧链之5-降冰片烯-2-甲醇衍生物单体和顺丁烯二酸酐单体之组合的单体;及一种光敏性酸生成剂,其重量百分比范围以光敏聚合物重量为基准系为1至15重量百分比,其中该三或更多种单体聚合之聚合物系以下列化学式(2)表示:其中,R1为C1至C20脂族烃;R2和R5分别为三级丁基或四氢喃基;R3为氢原子,甲基,乙基,正丁基或2-羟基乙基;R4为氢原子或甲基;k,l,m,n,p为整数,k/(k+l+m+n+p)的比率为0.1-0.5,l/(k+l+m+n+p)的比率为0.1-0.5,m/(k+l+m+n+p)的比率为0.0-0.5,n/(k+l+m+n+p)的比率为00-0.3,及p/(k+l+m+n+p)的比率为0.0-0.4;及重量平均分子量为3,000-100,000。8.根据申请专利范围第7项之化学增幅型正光阻剂组成物,其中该脂族烃为选自包含金钢烷基,降冰片基和异冰片基之组合的脂环族烃。9.根据申请专利范围第7项之化学增幅型正光阻剂组成物,其中R1为C7至C20脂环族烃。10.根据申请专利范围第7项之化学增幅型正光阻剂组成物,其中该光敏性酸生成剂为三芳基盐,二芳基碘盐或磺酸盐。11.根据申请专利范围第7项之化学增幅型正光阻剂组成物,其进一步包含占光敏聚合物重量范围从1至50重量百分比之溶解抑制剂。12.根据申请专利范围第11项之化学增幅型正光阻剂组成物,其中该溶解抑制剂为一种选自包含以酸不稳定丙二酸二烷基酯为官能基之C1至C40烃化合物、以酸不稳定基为官能基之三环癸烷衍生物和以酸不稳定基为官能基之萨洒皂草配基衍生物之组合的物质。13.根据申请专利范围第12项之化学增幅型正光阻剂组成物,其中以酸不稳定丙二酸二烷基酯为官能基之C1至C40烃化合物系以下列化学式(3)表示:[R6]-[CH(CO2R2)2]j (3)其中,j为1或2;R6为C1至C40烃化合物;及R2为三级丁基,四氢喃基和三甲基甲矽烷基。14.根据申请专利范围第13项之化学增幅型正光阻剂组成物,其中R6为环己基,二甲基环己基,二甲苯基或基甲基。15.根据申请专利范围第12项之化学增幅型正光阻剂组成物,其中该三环癸烷衍生物为双(三级丁氧基羰基氧基甲基)三环癸烷或双(四氢喃氧基甲基)三环癸烷,及其中该萨洒皂草配基衍生物为三级丁氧基羰基萨洒皂草配基或四氢喃基萨洒皂草配基。16.根据申请专利范围第7项之化学增幅型正光阻剂组成物,其中进一步包含占光敏聚合物重量范围从0.01至2.0重量百分比之有机硷。 |
