发明名称 光阻组成物
摘要 本发明系有关在使用化学倍增式光阻组成物作为单一层或多层中之最上层之矽烷化表面解像制程中,可形成具有极佳矩形形状的超细微图案之一种聚合物,及有关使用该聚合物之光阻组成物。该聚合物及光阻组成物可用于矽烷化表面解像制程,藉由使用该光阻组成物进行矽烷化表面解像制程,矽烷化作用之对比变高而可能得到无关曝光能量种类之超细微图案。
申请公布号 TW552475 申请公布日期 2003.09.11
申请号 TW089110449 申请日期 2000.05.30
申请人 和光纯药工业股份有限公司 发明人 藤江启利;前泽典明;森康嘉
分类号 G03F7/039 主分类号 G03F7/039
代理机构 代理人 洪武雄 台北市中正区博爱路八十号六楼;陈昭诚 台北市中正区博爱路八十号六楼
主权项 1.一种由下列通式[1]所示之光阻组成物用聚合物,其重量平均分子量为3,000至500,000者:[式中R1为氢原子或甲基,R2与R3各自为氢原子或具有1至6个碳原子之直链或分支链烷基(R2与R3二者均为氢原子之情形不包括在内),R4为具有1至6个碳原子之直链、分支链或环状烷基、芳烷基或苯基,及R2与R3.R2与R4或R3与R4分别可一起形成环,R5为氢原子、具有1至6个碳原子之直链、分支链或环状烷基、具有1至6个碳原子之直链、分支链或环状烷氧基、第三丁氧羰氧基、四氢喃氧基、乙醯氧基或-OCH2COOC(CH3)3基,R6为氢原子或氰基,R7为-COOR8基(式中R8为具有1至6个碳原子之直链、分支链或环状烷基或具有7至12个碳原子之桥联脂环烃基)、氰基或由下列通式[8]所示之基:(式中R9为氢原子、具有1至6个碳原子之直链、分支链或环状烷基或具有1至6个碳原子之直链、分支链或环状烷氧基),及R6与R7可一起形成-CO-O-CO-基或-CO-NR10-CO-基(式中R10为氢原子、具有1至6个碳原子之直链、分支链或环状烷基或具有1至6个碳原子之直链、分支链或环状烷氧基),k为正整数,l、m与n各自为0或正整数(惟0.1≦k/(k+l+m+n)≦0.9,0≦1/(k+l+m+n)≦0.9,0≦m/(k+l+m+n)≦0.8,及0≦n/(k+l+m+n)<0.1,但l与m均为0之情形不包括在内)]。2.如申请专利范围第1项之聚合物,其中该聚合物系由下列通式[1']所示者:[式中R4'为甲基或乙基,R5'为氢原子、第三丁氧基、第三丁氧羰氧基或四氢喃氧基,R1'为氢原子或甲基,R7'为甲氧羰基、环己氧羰基或异茨氧羰基,及k、l、m与n具有如上之相同意义]。3.如申请专利范围第1项之聚合物,其中该聚合物系由下列通式[6]所示者:[式中m'为正整数,R1.R2.R3.R4.R5.R6.R7.k与l具有如上之相同意义]。4.如申请专利范围第1项之聚合物,其中该聚合物系由下列通式[6']所示者:[式中1'为正整数,R1.R2.R3.R4.R5.k与n具有如上之相同意义]。5.如申请专利范围第1项之聚合物,其中该聚合物系由下列通式[6"]所示者:[式中m'为正整数,R1.R2.R3.R4.R6.R7.k与n具有如上之相同意义]。6.如申请专利范围第4项之聚合物,其中该聚合物系由下列通式[6'"]所示者:[式中R4'为甲基或乙基,R5'为氢原子、第三丁氧基、第三丁氧羰氧基或四氢喃氧基,及k、l'与n具有如上之相同意义]。7.如申请专利范围第4项之聚合物,其中该聚合物系由下列通式[6""]所示者:[式中R4'为甲基或乙基,R5'为氢原子、第三丁氧基、第三丁氧羰氧基或四氢喃氧基,R1'为氢原子或甲基,R7'为甲氧羰基、环己氧羰基或异崁氧羰基,及k、l与m具有如上之相同意义]。8.如申请专利范围第1项之聚合物,其中该聚合物系由下列通式[7]所示者:[式中R1.R2.R3.R4.R5.k与l'具有如上之相同意义,惟0.1≦k/(k+l')≦0.9]。9.如申请专利范围第1项之聚合物,其中该聚合物系由下列通式[17]所示者:[式中R1.R2.R3.R4.R6.R7.k与m'具有如上之相同意义,惟0.2≦k/(k+m')≦0.9,0.1≦m'/(k+m')≦0.8]。10.如申请专利范围第9项之聚合物,其中该聚合物系由下列通式[17']所示者:[式中R4'为甲基或乙基,R1'为氢原子或甲基,R7'为甲氧羰基、环己氧羰基或异茨氧羰基,及k与m'具有如上之相同意义]。11.如申请专利范围第8项之聚合物,其中该聚合物系由下列通式[7']所示者:[式中R4'为甲基或乙基,R5为氢原子、第三丁氧基、第三丁氧羰氧基或四氢喃氧基,及k与l'具有如上之相同意义]。12.一种光阻组成物,包括(A)下列通式[1]所示之聚合物、其重量平均分子量为3,000至500,000者、(B)经光化辐射照射后可产生酸之化合物、及(C)可溶解彼等之溶剂,而(A)与(B)之比为对100重量份(A),(B)为1至30重量份者:[式中R1为氢原子或甲基,R2与R3各自为氢原子或具有1至6个碳原子之直链或分支链烷基(R2与R3二者均为氢原子之情形不包括在内),R4为具有1至6个碳原子之直链、分支链或环状烷基、芳烷基或苯基,及R2与R3.R4与R3或R3与R4分别可一起形成环,R5为氢原子、具有1至6个碳原子之直链、分支链或环状烷基、具有1至6个碳原子之直链、分支链或环状烷氧基、第三丁氧羰氧基、四氢喃氧基、乙醯氧基或-OCH2COOC(CH3)3基,R6为氢原子或氰基,R7为-COOR8基(式中R8为具有1至6个碳原子之直链、分支链或环状烷基或具有7至12个碳原子之桥联脂环烃基)、氰基或由下列通式[8]所示之基:(式中R9为氢原子、具有1至6个碳原子之直链、分支链或环状烷基或具有1至6个碳原子之直链、分支链或环状烷氧基),及R6与R7可一起形成-CO-O-CO-基或-CO-NR10-CO-基(式中R10为氢原子、具有1至6个碳原子之直链、分支链或环状烷基或具有1至6个碳原子之直链、分支链或环状烷氧基),k为正整数,l、m与n各自为0或正整数(惟0.1≦k/(k+l+m+n)≦0.9,0≦1/(k+l+m+n)≦0.9,0≦m/(k+l+m+n)≦0.8,及0≦n/(k+l+m+n)≦0.1,但l与m均为0之情形不包括在内)];13.如申请专利范围第12项之组成物,其中该聚合物系由下列通式[6]所示者:[式中m'为正整数,R1.R2.R3.R4.R5.R6.R7.k与l具有如上之相同意义]。14.如申请专利范围第12项之组成物,其中该聚合物系由下列通式[6']所示者:[式中l'为正整数,R1.R2.R3.R4及R5.k与n具有如上之相同意义]。15.如申请专利范围第12项之组成物,其中该聚合物系由下列通式[7]所示者:[式中R1.R2.R3.R4.R5.k与l'具有如上之相同意义,惟0.1≦k/(k+l')≦0.9]。16.如申请专利范围第12项之组成物,其中该聚合物系由下列通式[17]所示者:[式中R1.R2.R3.R4.R6.R7.k与m'具有如上之相同意义,惟0.2≦k/(k+m')≦0.9,0.1≦m'/(k+m')≦0.8]。17.一种用于矽烷化表面的解像制程之光阻组成物,包括如申请专利范围第12至16项任一项之光阻组成物。18.一种形成图案之方法,系包括施敷包括下列成份之光阻组成物之制程者,该光阻组成物系包括(A)下列通式[1]所示之聚合物,其重量平均分子量为3,000至500,000者、(B)经光化辐射照射后可产生酸之聚合物及(C)可溶解彼等之溶剂,而(A)与B之比为对100重量份(A),(B)为1至30重量份者。[式中R1为氢原子或甲基,R2与R3各自为氢原子或具有1至6个碳原子之直链或分支链烷基(R2与R3二者均为氢原子之情形不包括在内),R4为具有1至6个碳原子之直链、分支链或环状烷基、芳烷基或苯基,及R2与R3.R2与R4或R3与R4分别可一起形成环,R5为氢原子、具有1至6个碳原子之直链、分支链或环状烷基、具有1至6个碳原子之直链、分支链或环状烷氧基、第三丁氧羰氧基、四氢喃氧基、乙醯氧基或-OCH2COOC(CH3)3基,R6为氢原子或氰基,R7为-COOR8基(式中R8为具有1至6个碳原子之直链、分支链或环状烷基或具有7至12个碳原子之桥联脂环烃基)、氰基或由下列通式[8]所示之基:(式中R9为氢原子、具有1至6个碳原子之直链、分支链或环状烷基或具有1至6个碳原子之直链、分支链或环状烷氧基),及R6与R7可一起形成-CO-O-CO-基或-CO-NR10-CO-基(式中R10为氢原子、具有1至6个碳原子之直链、分支链或环状烷基或具有1至6个碳原子之直链、分支链或环状烷氧基),k为正整数,l、m与n各自为0或正整数(惟0.1≦k/(k+l+m+n)≦0.9,0≦1/(k+l+m+n)≦0.9,0≦m/(k+l+m+n)≦0.8,及0≦n/(k+l+m+n)≦0.1,但l与m均为0之情形不包括在内)];(2)烘烤基板之制程;(3)使光化辐射线透过光罩照射基板之制程;(4)使基板之曝光区域与矽烷化剂接触而矽烷化之制程,必要时可于烘烤后再进行,以及(5)经乾蚀刻显影之制程。图式简单说明:第1图为使用含本发明聚合物之光阻组成物制得之L & S图案良好形状之截面剖视图。第2图为使用不含本发明聚合物之光阻组成物制得之L & S图案不良解像形状之截面剖视图。第3图为使用含本发明聚合物之光阻组成物制得之L & S图案良好形状之截面剖视图。第4图为使用不含本发明聚合物之光阻组成物制得之L & S图案不良解像形状之截面剖视图。第5图为使用含本发明聚合物之光阻组成物制得之L & S图案良好形状之截面剖视图。第6图为使用不含本发明聚合物之光阻组成物制得之未解像形状之截面剖视图。
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