| 主权项 |
1.一种用于处理基材之设备,至少包括:一屏蔽,用作一真空处理室中一室墙之一部份的衬里;一内部通道,形成于该屏蔽之内部;一加热器元件,配置在该通道内侧;及一入口,用以导入热传流体至该内部通道,以提供热传递转移于该加热器元件与该屏蔽之间。2.如申请专利范围第1项之设备,更包括一出口,用以从该内部通道移除该流体。3.如申请专利范围第1项之设备,其中该流体系用于加热该屏蔽。4.如申请专利范围第1项之设备,其中该流体为空气、氮气或氩气。5.如申请专利范围第1项之设备,其中该流体系用于冷却该屏蔽。6.如申请专利范围第1项之设备,其中该屏蔽具有一大致呈长方形之形状。7.如申请专利范围第1项之设备,其中该加热器元件系配置于屏蔽通道内的管道中。8.如申请专利范围第1项之设备,其中该热传流体系一气体。9.如申请专利范围第1项之设备,其中该处理室之该室墙面对该真空处理室中一基材上方之一处理区域。10.如申请专利范围第1项之设备,更包含一大致呈长方形台座于该真空处理室内用以支持该基材,其中该屏蔽系配置于该台座与该真空处理室之该室墙之间,该屏蔽包含四个接合之大致平直段。11.如申请专利范围第10项之设备,其中该加热器元件具有与该屏蔽实质上相同之外形。12.如申请专利范围第1项之设备,更包含一流动装置,用以流入该热传流体至该入口。13.一种基材处理方法,于一真空处理室中,其具有一屏蔽,用于衬垫至少该真空室之一内墙的一部份,该方法至少包括以下步骤:供输热传流体流通过一入口并进入该屏蔽内部之一通道中;及控制该通道内该流体之温度,藉由操作一配置于该通道内之加热器元件,用以提供一选择温度在该屏蔽之外部表面。14.如申请专利范围第13项之方法,其中该流体系用于加热该屏蔽。15.如申请专利范围第13项之方法,其中该流体系用于冷却该屏蔽。16.如申请专利范围第13项之方法,其中该热传流体系为一气体,以及更包含:从一标靶溅射材料到该基材上,俾在该基材上形成溅镀沈积材料;及在溅射步骤过程中,藉流入该热传流体,经该屏蔽通道,以控制该屏蔽至一预定温度,并在该热传流体存在时通入电力至该加热器元件。17.如申请专利范围第13项之方法,包含一烘乾过程,以及更包含:藉输入该热传流体,经该屏蔽通道,以控制该屏蔽至一预定温度,并在该热传气体存在时通入电力至该加热器元件。图式简单说明:图1为一物理汽沉真空加工室的爆炸图,其中可采用根据本发明的具体实例。图2为该加工室左边近距横剖面图,取自沿图1中的线2-2。图3为根据本发明的屏蔽具体实例的顶面图。图4为根据本发明的屏蔽具体实例的横剖侧面图,取自沿图3中的线4-4。图5(a)为本发明的屏蔽具体实例的透视图,剖开以展示安装在屏蔽通道里的加热器片条。图5(b)为本发明的屏蔽具体实例的横剖面图,取自沿图5(a)中的线5(b)-5(b)。 |
