| 主权项 |
1.一种制造积体电路之方法,包含:提供一半导体基板,在其上提供半导体元件;在半导体基板之上形成介电层;在介电层之中形成开通部分;沈积屏障层,以衬贴于开通部分;在屏障层之上沈积籽晶层;在籽晶层之上沈积导体层,以填入开通部分并连线至半导体元件;平坦化处理导体层、籽晶层、以及屏障层,并使其与介电层共面,进而于其中形成导体通道;第一退火处理,系于摄氏40度至摄氏90度之间的温度下进行;以及第二退火处理,系于较第一退火处理更高的温度下进行。2.如申请专利范围第1项之制造积体电路之方法,其中之第二退火处理系于摄氏250度加热至摄氏400度之间的温度下进行。3.如申请专利范围第1项之制造积体电路之方法,其中之第一退火处理系执行30至120分钟。4.如申请专利范围第1项之制造积体电路之方法,其中之第二退火处理系执行1至30分钟。5.如申请专利范围第1项之制造积体电路之方法,其中之沈积导体层所用之金属,系从铜、铜合金、铝、金、金合金、银、银合金、及其组合物所成之组群之中选定。6.如申请专利范围第1项之制造积体电路之方法,其中之沈积介电层所用之材料系从介电常数介于4.2至3.9之间的材料组群选定。7.如申请专利范围第1项之制造积体电路之方法,其中之沈积介电层所用之材料,系从介电常数低于3.9的材料组群之中选定。8.如申请专利范围第1项之制造积体电路之方法,其中之第一退火处理包含从室温加热至第一退火处理温度,以及在第一退火处理期间保持第一退火处理温度。9.如申请专利范围第1项之制造积体电路之方法,其中之第二退火处理包含从第一退火处理温度加热至第二退火处理温度,以及在第二退火处理期间保持第二退火处理温度。图式简单说明:第1图(先存技艺)系具有连线通孔之对准通道平面图。第2图(先存技艺)系顺着线2-2的第1图(先存技艺)之断面图。第3图系依照本发明,在导体核心之沈积和退火处理过后,相似于第2图(先存技艺)之断面图。 |
