| 主权项 |
1.一种焊垫结构的制造方法,可应用于至少已形成有一积体电路之一晶圆上,该焊垫结构的制造方法至少包含:形成一第一氧化矽层于该晶圆上;形成一氮化矽层于该第一氧化矽层上;形成一第二氧化矽层于该氮化矽层上;形成图案化之一光阻层于该第二氧化矽层上;以该光阻层为蚀刻罩幕,利用乾蚀刻法蚀刻该第二氧化矽层;以该光阻层为蚀刻罩幕,利用湿蚀刻法蚀刻该第二氧化矽层;以该光阻层为蚀刻罩幕,利用乾蚀刻法依序蚀刻该氮化矽层与该第一氧化矽层,形成一焊垫开口以暴露出该积体电路之一金属导线;去除该光阻层;形成一焊垫金属层于该金属导线、该氮化矽层与该第二氧化矽层之上,该焊垫金属层之厚度小于该第二氧化矽层之厚度;以及定义该焊垫金属层以形成一焊垫于该焊垫开口中,以覆盖该金属导线与其周围之该氮化矽层,使该焊垫之高度小于该第二氧化矽层的高度。2.如申请专利范围第1项所述之焊垫结构的制造方法,其中形成该第一氧化矽层与该第二氧化矽层的方法包含化学气相沈积法。3.如申请专利范围第1项所述之焊垫结构的制造方法,其中形成该氮化矽层的方法包含化学气相沈积法。4.如申请专利范围第1项所述之焊垫结构的制造方法,其中蚀刻该第二氧化矽层与该第一氧化矽层的乾蚀刻法包含反应性离子蚀刻法,所用之反应气体源包含CHF3与CF4。5.如申请专利范围第1项所述之焊垫结构的制造方法,其中蚀刻该第二氧化矽层的湿蚀刻法所使用之蚀刻溶液包含HF溶液或HF/NH4F溶液。6.如申请专利范围第1项所述之焊垫结构的制造方法,其中蚀刻该氮化矽层的乾蚀刻法包含反应性离子蚀刻法,所用之反应气体源包含CHF3/O2.CH2F2或CH3F。7.如申请专利范围第1项所述之焊垫结构的制造方法,其中该焊垫金属层包含以物理气相沈积法所沈积之铝铜合金层。8.一种焊垫结构的制造方法,可应用于至少已形成有一积体电路之一晶圆上,该焊垫结构的制造方法至少包含:形成一第一保护层于该晶圆上;形成一第二保护层于该第一保护层上;形成图案化之一光阻层于该第二保护层上;以该光阻层为蚀刻罩幕,纵向蚀刻该第二保护层;以该光阻层为蚀刻罩幕,横向蚀刻该第二保护层;以该光阻层为蚀刻罩幕,纵向蚀刻该第一保护层,形成一焊垫开口以暴露出该积体电路之一金属导线;去除该光阻层;形成一焊垫金属层于该金属导线、该第一保护层与该第二保护层之上,该焊垫金属层之厚度小于该第二保护层之厚度;以及定义该焊垫金属层以形成一焊垫于该焊垫开口中,以覆盖该金属导线与其周围之该第一保护层,使该焊垫之高度小于该第二保护层的高度。9.如申请专利范围第8项所述之焊垫结构的制造方法,其中该第二保护层包含以化学气相沈积法所沈积之氧化矽层。10.如申请专利范围第8项所述之焊垫结构的制造方法,其中形成该第一保护层包含由化学气相沈积法所依序沈积之氧化矽层与氮化矽层。11.如申请专利范围第8项所述之焊垫结构的制造方法,其中纵向蚀刻该第二保护层与该第一保护层的乾蚀刻法包含电浆蚀刻法。12.如申请专利范围第8项所述之焊垫结构的制造方法,其中横向蚀刻该第二保护层的方法包含湿蚀刻法。13.如申请专利范围第8项所述之焊垫结构的制造方法,其中该焊垫金属层包含以物理气相沈积法所沈积之铝铜合金层。图式简单说明:第1图是习知之焊垫结构剖面示意图。第2A-2E图系绘示依照本发明一较佳实施例的一种焊垫结构的制造方法流程剖面示意图。 |
