| 主权项 |
1.一种清洗沈积喷出头(dispersion head)之方法,其系可应用于半导体之化学气相沈积(Chemical VaporDeposition, CVD)机台中,其中该方法之步骤系包括:a)提供一化学反应槽,将沈积喷出头浸入该化学反应槽以超音波震荡之;b)提供一水槽,将该沈积喷出头浸入该水槽;c)提供一异丙醇槽,将该沈积喷出头浸入该异丙醇(Isopropyl Alcohol, IPA)槽;以及d)提供一烘乾系统,以该烘乾系统烘乾该沈积喷出头;俾以完成清洗沈积喷出头之程序。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该沈积喷出头系为该化学气相沈积机台上之一零件。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该化学气相沈积机台系为常压化学气相沈积(Atmosphere Chemical VaporDeposition)机台。4.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该化学气相沈积机台系为次常压化学气相沈积(Sub-atmosphere Chemical Vapor Deposition)机台。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该化学气相沈积机台系为用以沈积含矽氧化物之机台。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该化学气相沈积机台系为用以沈积含硼矽氧化物之机台。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该化学气相沈积机台系为用以沈积含磷矽氧化物之机台。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该外盖系为该化学气相沈积机台上之用以将该沈积喷出头固定于该机台上者。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该化学反应槽系含有过氧化氢(H2O2)。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该化学反应槽含有过氧化氢之含量约为12%。11.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该化学反应槽系含有钠离子(Na+)之水溶液。12.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该化学反应槽系含有钾离子(K+)之水溶液。13.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该水槽系为一溢流之水槽,并监测该水槽之水阻値。14.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该异丙醇槽系为一回流之异丙醇槽。15.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该烘乾系统系控制于约120℃,以烘乾该沈积喷出头。16.如申请专利范围第15项所述之方法,其中该烘乾系统系通入氮气,以烘乾该沈积喷出头。17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该烘乾系统更包含一挡网,系用以分散加热之该氮气,使之均匀通过该沈积喷出头。18.如申请专利范围第17项所述之方法,其中该挡网系以铝材质制成。19.如申请专利范围第1项所述之方法,其中于该步骤d)后更可包含一目检步骤,系以粗观确认该沈积喷出头已清洗乾净。20.一种清洗沈积喷出头(dispersion head)之方法,其系可应用于半导体之化学气相沈积(Chemical Vapor Deposition, CVD)机台中,其中该方法之步骤系包括:a)藉由该机台抽真空以除去沈积喷出头之外盖与其表面之尘粒;b)将该沈积喷出头之外盖与该沈积喷出头由该机台上拆下,并清除该机台上用以装载沈积喷出头之区域表面之尘粒;c)提供一化学反应槽,将该沈积喷出头浸入该化学反应槽以超音波震荡之;d)提供一溢流之水槽,将该沈积喷出头浸入该溢流之水槽,并监测水阻値;e)提供一回流之异丙醇槽,将该沈积喷出头浸入该回流之异丙醇(Isopropyl Alcohol, IPA)槽;以及f)提供一烘乾系统,以该烘乾系统烘乾该沈积喷出头,俾以完成清洗沈积喷出头之程序。21.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该烘乾系统更包含一挡网,系用以分散加热之该氮气,使之均匀通过该沈积喷出头。22.如申请专利范围第21项所述之方法,其中该挡网系以铝材质制成。23.如申请专利范围第20项所述之方法,其中于该步骤f)后更可包含一目检步骤,系以粗观确认该沈积喷出头已清洗乾净。24.一种清洗沈积喷出头(dispersion head)之设备,其系可应用于半导体之化学气相沈积(ChemicalVapor Deposition, CVD)机台中,其中该设备系包括:一化学反应槽,以将沈积喷出头浸入该化学反应槽以超音波震荡之;一水槽,以将该沈积喷出头浸入该水槽;一异丙醇(Isopropyl Alcohol, IPA)槽,以将该沈积喷出头浸入该异丙醇槽;以及一烘乾系统,以烘乾沈积喷出头。图式简单说明:第一图:化学气相沈积机台结构;第二图:水槽清洗沈积喷出头之示意图;第三图:异丙醇槽清洗沈积喷出头之示意图;以及第四图:烘乾系统烘乾沈积喷出头之示意图。 |
