| 主权项 |
1.一种半导体结构,包含:一单晶性矽基板;一非晶性氧化物材料,其覆盖单晶性矽基板;一单晶性钙钛石氧化物材料,其覆盖非晶性氧化物材料;一单晶性化合物半导体材料,其覆盖单晶性钙钛石氧化物材料;一组邻近层,系由邻近于单晶性化合物半导体材料之单晶性矽基板承载;该单晶性化合物半导体材料包含一背对于单晶性矽基板之第一表面,该邻近层包含一组背对于单晶性矽基板之第二表面,且该第二表面之其中一者系定位成实质上共平面于第一表面。2.如申请专利范围第1项之半导体结构,进一步包含:覆盖第一表面及第二表面之该其中一者之一层。3.如申请专利范围第1项之半导体结构,其中该组邻近层包含一邻近之单晶性半导体材料,且不同于单晶性化合物半导体材料。4.如申请专利范围第3项之半导体结构,其中该邻近之单晶性半导体材料包含一单晶性磊晶性矽层。5.如申请专利范围第3项之半导体结构,其中第二表面之其中一者覆盖邻近之半导体材料。6.如申请专利范围第1项之半导体结构,其中单晶性化合物半导体材料包含一选自由GaAs、InP、GaAs衍生物、及InP衍生物所组成族群中之材料。7.如申请专利范围第1项之半导体结构,其中第一表面及第二表面之其中一者相互邻接。8.一种制造一半导体结构之方法,包含:(a)提供一单晶性矽基板;(b)沉积一单晶性钙钛石氧化物膜,以覆盖单晶性矽基板,该膜具有一厚度且小于造成应变感应瑕疵之材料之厚度;(c)形成一非晶性氧化物界面层,其含有至少矽与氧于单晶性钙钛石氧化物膜与单晶性矽基板之间之一界面处;(d)磊晶形成一单晶性化合物半导体层,以覆盖单晶性钙钛石氧化物膜;(e)形成一组邻近层,以覆盖邻近于单晶性化合物半导体材料之单晶性矽基板;该单晶性化合物半导体层包含一背对于单晶性矽基板之第一表面,且该邻近层包含一组背对于单晶性矽基板之第二表面;及(f)定位第一表面成实质上共平面于第二表面之其中一者。9.如申请专利范围第8项之方法,进一步包含:形成覆盖第一表面及第二表面之其中一者之一层。10.如申请专利范围第8项之方法,其中该组邻近层包含一邻近之单晶性半导体材料,且不同于单晶性化合物半导体层。11.如申请专利范围第10项之方法,其中该邻近之半导体材料包含一单晶性磊晶性矽层。12.如申请专利范围第10项之方法,其中第二表面之其中一者覆盖邻近之半导体材料。13.如申请专利范围第8项之方法,其中单晶性化合物半导体材料包含选自由GaAs、InP、GaAs衍生物、及InP衍生物所组成族群中之一材料。14.如申请专利范围第8项之方法,进一步包含:沉积一多晶矽层以覆盖单晶性矽基板之一选定区域;及将覆盖至少一部分选定区域之多晶矽层去除;其中沉积单晶性钙钛石氧化物膜之作用在使单晶性钙钛石膜覆盖该至少一部分选定区域。15.如申请专利范围第14项之方法,进一步包含:沉积一脱序层以覆盖单晶性矽基板之选定区域;其中该组邻近层包含一单晶性磊晶性矽层;及其中多晶矽层系生长于脱序层上,同时生长单晶性磊晶性矽层。16.如申请专利范围第14项之方法,其中(f)进一步包含:利用一选择性EPI方法以磊晶性形成单晶性化合物半导体层于一孔穴内。17.如申请专利范围第8项之方法,其中(f)进一步包含:研磨单晶性化合物半导体层直到第一表面及第二表面之其中一者实质上呈共平面。图式简单说明:图1.2.3系以截面图简单说明本发明多项实施例之装置结构;图4以图表说明最大可得膜厚度及一主晶体与一生长结晶覆层之间晶格错配之间之关系;图5说明一包括单晶性顺应性缓冲层结构之一高解析度传输电子显微照片;图6说明一包括单晶性顺应性缓冲层结构之一x射线绕射光谱;图7说明一包括非晶性氧化物层结构之一高解析度传输电子显微照片;图8说明一包括非晶性氧化物层结构之一x射线绕射光谱;图9-12系以截面图简单说明本发明另一实施例之装置结构之形成;图13-16说明图9-12所示装置结构之一可探测分子结合结构;图17-20系以截面图简单说明本发明又一实施例之装置结构之形成;及图21-23系以截面图简单说明本发明装置结构之另一实施例之形成;图24.25系以截面图简单说明可用于本发明多项实施例之装置结构;图26-30包括一部分积体电路之截面图说明,其包括文内所示之一化合物半导体部、一双极部、及一MOS部;图31-37包括一部分另一积体电路之截面图说明,其包括文内所示之一半导体雷射及一MOS电晶体;图38-43系以截面图简单说明一半导体结构制造上之六个阶段;及图44说明一用于形成图38-43之半导体结构之制程。 |
