| 摘要 |
1. Диодный лазер, включающий гетероструктуру на основе полупроводниковых соединений, содержащую по крайней мере один активный слой, по крайней мере два ограничительных слоя, прозрачную для излучения область втекания излучения, содержащую по крайней мере слой втекания, и размещенную между активным слоем и соответствующим ограничительным слоем, по крайней мере с одной стороны от активного слоя, а также активную область с протекающим током при работе диодного лазера, оптические грани, отражатели, оптический резонатор, омический контакт, отличающийся тем, что гетероструктура дополнительно характеризована отношением эффективного показателя преломления nэф гетероструктуры к показателю преломления nвт слоя втекания, а именно отношение nэф к nвт определено из диапазона от единицы плюс дельта до единицы минус гамма, где дельта и гамма определяются числом, много меньшим единицы, и гамма больше дельты, кроме того, на определенном расстоянии от обеих боковых сторон активной области с протекающим током размещены ограничительные области излучения, проникающие от наружного слоя внутрь гетероструктуры, по крайней мере до активного слоя и далее вглубь гетероструктуры, со стороны вывода излучения на оптической грани имеется антиотражающее покрытие с коэффициентом отражения лазерного излучения, близким к нулю, и с той же стороны вывода излучения сформирован с коэффициентом отражения лазерного излучения, близким к единице, отражатель оптического резонатора, примыкающий к активному слою и к размещенным по обе стороны от активного слоя полупроводниковым слоям гетероструктуры, суммарная толщина которых находится по кр� |
