| 发明名称 | 制造薄膜晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 通过在包含聚亚苯基聚酰亚胺的衬底上沉积至少一个半导体材料层来制造晶体管。该衬底允许在用于成形该晶体管的过程中采用超过300℃的加工温度，从而能够制成高质量硅半导体层。该衬底还具有低热膨胀系数，与硅的膨胀系数密切匹配，从而可减少任何硅层龟裂或脱层的倾向。 | ||
| 申请公布号 | CN1441967A | 申请公布日期 | 2003.09.10 |
| 申请号 | CN01808168.1 | 申请日期 | 2001.04.17 |
| 申请人 | 伊英克公司 | 发明人 | K·L·德尼斯;陈宇;P·S·德尔蔡克;J·M·雅各布斯;P·T·卡兹拉斯 |
| 分类号 | H01L29/786 | 主分类号 | H01L29/786 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘元金;马崇德 |
| 主权项 | 1.一种在衬底(12)上成形至少一个晶体管(10)的方法，该方法包括在衬底(12)上沉积至少一层半导体材料(24，26)，其特征在于，衬底(12)包含聚亚苯基聚酰亚胺。 | ||
| 地址 | 美国麻萨诸塞州 | ||