堆叠电容器的柱状底部存储节点的制造方法

摘要

一种堆叠电容器的柱状底部存储节点的方法包括：在基底上形成一第一介电层；在第一介电层上形成一氮化硅层；光刻及蚀刻第一介电层和氮化硅层直至到达该基底，以形成一接触窗口；在接触窗口形成一导电插塞；在氮化硅层和插塞之上形成一第二介电层；光刻及蚀刻第二介电层，藉以在插塞上形成一沟渠；在沟槽中填满一非晶硅层；移除第二介电层的残留部分；以及在非晶硅层上形成一半球型硅晶粒多晶硅层。

主权项

1.一种堆叠电容器的柱状底部存储节点的制造方法，包括下列步骤：在一基底上形成一第一介电层；在该第一介电层上形成一氮化硅层；光刻及蚀刻该第一介电层和该氮化硅层直至到达该基底，以形成一接触窗口；在该接触窗口形成一导电插塞；在该氮化硅层和该插塞之上形成一第二介电层；光刻及蚀刻该第二介电层，藉以在该插塞上形成一沟渠；在该沟渠中填满一非晶硅层；移除该第二介电层的残留部分；以及在该非晶硅层上形成一半球型硅晶粒多晶硅层。