| 发明名称 | 制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种能够避免在宽沟槽区情况下产生暴露和碟化的制造半导体器件的方法，应用于半导体器件的制造工艺中，该方法包括以下步骤：在一个半导体基底的主面上形成一个第一防护膜，然后蚀刻上述第一防护膜的预定部分，以形成器件隔离区；以上述第一防护膜作掩模在上述半导体基底上蚀刻沟槽；形成一防护性氧化膜，以覆盖沟槽内壁的整个表面；在上述半导体基底的整个表面沉积氮化物膜，并进行各向异性回蚀刻，以形成窄器件隔离区和宽器件隔离区；在上述宽器件隔离区的整个表面上形成一第一器件分离氧化膜；去除上述氮化物膜；沉积一CVD氧化膜，并采用回蚀刻工艺去除上述沟槽之外的氧化膜，形成一第二器件分离氧化膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1121064C | 申请公布日期 | 2003.09.10 |
| 申请号 | CN97113973.3 | 申请日期 | 1997.06.27 |
| 申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 郑明俊 |
| 分类号 | H01L21/76;H01L21/762 | 主分类号 | H01L21/76 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 杨梧 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在一个半导体基底的主面上形成一个第一防护膜，然后蚀刻上述第一防护膜的预定部分，以形成器件隔离区；以上述第一防护膜作掩模在上述半导体基底上蚀刻沟槽；形成一防护性氧化膜，以覆盖沟槽内壁的整个表面；在上述半导体基底的整个表面沉积氮化物膜，并进行各向异性回蚀刻，以形成窄器件隔离区和宽器件隔离区；在上述宽器件隔离区的整个表面上形成一第一器件分离氧化膜；去除上述氮化物膜；沉积一CVD氧化膜，并采用回蚀刻工艺去除上述沟槽之外的氧化膜，形成一第二器件分离氧化膜。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||