| 发明名称 | 一种半导体压力传感器 | ||
| 摘要 | 一种半导体压力传感器，以单晶硅上的二氧化硅层作为隔离层，在二氧化硅隔离层上采用富氢微晶硅薄膜制备压阻元件的半导体压力传感器。可在较高的工作温度下正常工作，而且灵敏度也较高且制作工艺简单，成本低廉。 | ||
| 申请公布号 | CN2572374Y | 申请公布日期 | 2003.09.10 |
| 申请号 | CN02283416.8 | 申请日期 | 2002.12.20 |
| 申请人 | 上海鸿宇纳米科技发展有限公司 | 发明人 | 刘宏;刘晓晗;刘明 |
| 分类号 | G01L9/06 | 主分类号 | G01L9/06 |
| 代理机构 | 上海世贸专利代理有限责任公司 | 代理人 | 严新德 |
| 主权项 | 1，一种半导体压力传感器，由衬底层组成，其特征在于：在所述的衬底层上方设置有隔离层、压阻层，所述的衬底层是单晶硅层，所述的隔离层是二氧化硅层，所述的压阻层是微晶硅薄膜层。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江碧波路518号B－211 | ||