| 发明名称 | 通过CVD制备的单晶金刚石 | ||
| 摘要 | 本发明提供通过CVD制备的单晶金刚石，其具有一种或多种使得该金刚石适于在电子领域中应用的电子特征。本发明还提供制造单晶CVD金刚石的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1441860A | 申请公布日期 | 2003.09.10 |
| 申请号 | CN01812728.2 | 申请日期 | 2001.06.14 |
| 申请人 | 六号元素(控股)公司 | 发明人 | G·A·斯卡布鲁克;P·M·马蒂诺;J·L·科林斯;R·S·萨斯曼;B·S·C·多恩;A·J·怀特黑德;D·J·特维切 |
| 分类号 | C30B25/02;C30B29/04;G01T1/202;H01L29/16 | 主分类号 | C30B25/02 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 郭建新 |
| 主权项 | 1.通过CVD制备的单晶金刚石，其具有至少一种下述特征：(i)在断开状态，在50V/μm的外加电场和在300K下测量的电阻率R1大于1×1012Ωcm；(ii)在断开状态下的高击穿电压，和在接通状态下的高电流和长的载流子寿命；(iii)在300K下测量的电子迁移率(μe)大于2400cm2V-1s-1；(iv)在300K下测量的空穴迁移率(μh)大于2100cm2V-1s-1；和(v)在1V/μm的外加电场和300K下测量的大于150μm的高电荷收集距离。 | ||
| 地址 | 南非斯普林斯 | ||