发明名称 | Mn-Fe基系反铁磁磁形状记忆合金 | ||
摘要 | 一种Mn-Fe基系反铁磁磁形状记忆合金属于材料领域。本发明包含的各组分及其重量百分比为:Mn:30-90%;Fe:70-10%。本发明Mn-Fe基系反铁磁磁形状记忆合金非属铁磁性,该合金可在反铁磁状态,在存在fct马氏体孪晶界,或不存在fct马氏体孪晶而存在反铁磁畴界的情况下都可获得磁形状记忆效应,按现测量结果显示,在多晶状态,在1T磁场下,最大已获得~0.1%的磁诱发负应变;如以穿过孪晶界的切应变γ<SUB>o</SUB>=(a/c)(1-C<SUP>2</SUP>/a<SUP>2</SUP>)估算,对应c/a=0.96,切应变在单晶状态它的理论值亦可达到4%,与Ni<SUB>2</SUB>MnGa和Ni-Co合金相比在多晶状态就可获得可观的磁控形状记忆效应,通过定向凝固或磁场热处理有望获得更大的磁应变量,而具有更易的材料制备和加工性能。 | ||
申请公布号 | CN1441072A | 申请公布日期 | 2003.09.10 |
申请号 | CN03116163.4 | 申请日期 | 2003.04.03 |
申请人 | 上海交通大学 | 发明人 | 张骥华;陈树川;陈世朴;鲁萍 |
分类号 | C22C22/00;C22C38/04;H01F1/04 | 主分类号 | C22C22/00 |
代理机构 | 上海交达专利事务所 | 代理人 | 王锡麟 |
主权项 | 1、一种Mn-Fe基系反铁磁磁形状记忆合金,其特征在于:包含的各组分及其重量百分比为:Mn:30-90%;Fe:70-10%,具有孪晶反铁磁畴界或fct马氏体相变孪晶。 | ||
地址 | 200030上海市华山路1954号 |