| 发明名称 | 快速切换输入缓冲器 | ||
| 摘要 | 一种用于半导体装置的输入缓冲器电路(300)，包含一个PMOS晶体管(306)、一个NMOS晶体管(308)、及一个上拉电路(314)。当输入缓冲器(300)切换时，上拉电路(314)施加一电压至PMOS晶体管(306)主体区域，产生正主体效应，使得PMOS晶体管(306)门限电压绝对值暂时下降。此举使输入缓冲器(300)比已有的输入缓冲器切换更快速。输入缓冲器(300)为一个反相器、NOR、NAND、或其它输入缓冲器。 | ||
| 申请公布号 | CN1441996A | 申请公布日期 | 2003.09.10 |
| 申请号 | CN01812668.5 | 申请日期 | 2001.06.29 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | L·可来佛蓝道;K·安古叶 |
| 分类号 | H03K19/017 | 主分类号 | H03K19/017 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊;程伟 |
| 主权项 | 1.一种用于半导体装置的输入缓冲器电路(300)，包含：(a)一个输入节点(302)；(b)一个输出节点(310)；(c)一个具有源极、栅极、漏极、及主体节点的PMOS晶体管(306)，PMOS晶体管(306)的源极节点与第一供给电压(304)相接；(d)一个具有源极、栅极、与漏极节点的NMOS晶体管(308)，该源极节点接地；其中该PMOS及NMOS晶体管(306、308)的栅极与输入节点(302)相接，且PMOS及NMOS晶体管(306、308)的漏极与输出节点(310)相接；以及(e)一个上拉电路(314)与PMOS晶体管(306)的主体节点及第二供给电压相接。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||