| 发明名称 |
СПОСІБ РАДІАЦІЙНОЇ ОБРОБКИ ТРАНЗИСТОРНИХ СЕНСОРІВ ТЕМПЕРАТУРИ |
| 摘要 |
Спосіб радіаційної обробки транзисторних сенсорів температури, при якому їх опромінюють, а потім термовідпалюють. Сенсори опромінюють Х-променями дозою 4000÷4250 Гр. Температурний відпал проводять при температурі 130÷135 °C упродовж 120±5 хв. |
| 申请公布号 |
UA107956(U) |
申请公布日期 |
2016.06.24 |
| 申请号 |
UA20150013115U |
申请日期 |
2015.12.30 |
| 申请人 |
ЛЬВІВСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ ІМЕНІ ІВАНА ФРАНКА |
发明人 |
Павлик Богдан Васильович;Дідик Роман Іванович;Шикоряк Йосип Андрійович;Лис Роман Мирославович;Грипа Андрій Сергійович;Слободзян Дмитро Петрович;Кушлик Маркіян Олегович |
| 分类号 |
H01L21/428;H01L31/115 |
主分类号 |
H01L21/428 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
