| 摘要 |
본 발명은 반응 배기 가스에 포함되는 클로로실란을 회수하여, 이것을 다결정 실리콘 석출 반응에 순환 재공급하여 재이용할 때에, 회수 클로로실란을 계외 배제하지 않고, 클로즈드화된 계내에서, 반도체 그레이드의 고순도 다결정 실리콘을 제조하는 방법을 제공한다. 본 발명에 있어서는, C 공정에서 분획한 회수 클로로실란으로부터 불순물 저감 처리 클로로실란을 얻는 D 공정, 및 해당 D 공정에서 얻어진 불순물 저감 처리 클로로실란을 다결정 실리콘의 석출 공정인 A 공정에 공급하는 구성을 채용하였다. 이 채용에 의해, 반도체 그레이드의 고순도 다결정 실리콘을 제조하는 프로세스에 있어서, 석출 반응계에서 순환하는 회수 클로로실란에 축적되는 불순물 화합물이 제거되어 안정한 품질의 다결정 실리콘을 얻을 수 있다. |
