发明名称 |
半导体装置 |
摘要 |
本发明涉及半导体装置。在已有的半导体装置中,因为为了向半导体器件表面的全部电极供给均等的电流,用引线接合法使导线与全部电极连接,所以存在着由于引线接合法引起的冲击对半导体器件产生恶劣影响的课题。在本发明的半导体装置中,具有使导电板38,39与半导体器件32表面的电极连接,通过导线40,41使导电板38,39与连接区域36,37电连接的构造。通过这样做,能够将导电板作为缓冲板在半导体器件32表面上不对导线40,41直接用引线接合法。结果,能够大幅度地减少由于引线接合法引起的冲击对半导体器件32的影响,从而能够提高制品品质的可靠性。 |
申请公布号 |
CN1441491A |
申请公布日期 |
2003.09.10 |
申请号 |
CN03103350.4 |
申请日期 |
2003.01.24 |
申请人 |
三洋电机株式会社 |
发明人 |
青野勉;岡田喜久雄 |
分类号 |
H01L23/48;H01L21/60;H01L21/768;H01L29/80 |
主分类号 |
H01L23/48 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
罗亚川 |
主权项 |
1.半导体装置,它的特征是它具备具有至少一个主表面,并具有在上述主表面上从设置在绝缘层中的孔露出一部分的主电极的半导体器件,成为一体地覆盖上述主电极那样地通过焊料粘结在上述主表面上的导电板,和使上述导电板和设置在上述半导体器件外部的上述主电极的取出导电区域电连接的导线。 |
地址 |
日本大阪府 |