薄膜晶体管及其制作方法

摘要

在衬底上制作掺有p型杂质的半导体膜。其后，在半导体膜上施加抗蚀剂膜，并用抗蚀剂膜作掩模对半导体膜进行干法腐蚀。由于干法腐蚀，半导体膜的边缘部分从抗蚀剂膜露出。接着，用抗蚀剂膜作掩蔽对半导体膜的边缘部分掺入p型杂质。在半导体膜沟道边缘部分的p型杂质体浓度2－5倍于沟道中间部分的p型杂质体浓度。其后，除去抗蚀剂膜以制作栅绝缘膜和栅电极。

主权项

1.一种薄膜晶体管器件，包括：一个衬底；以及一个薄膜晶体管，它被制作在所述衬底上并具有作为有源层的一个半导体膜，其中p型杂质被引入到一个沟道区中，其中所述半导体膜的边缘部分有斜坡，且在所述沟道区的所述边缘部分中的p型杂质的体浓度为所述沟道区的中心部分的p型杂质的体浓度的2至5倍。