动态随机存取存储器的电容器的制造方法

摘要

一种动态随机存取存储器的电容器的制造方法，在绝缘层中形成电容储存窗口后，涂布一层填满电容储存窗口的光阻层，并将相邻电容储存窗口之间的光阻层曝光后移除，形成暴露出其下方的绝缘层表面的图案化光阻层；移除绝缘层后，移除此图案化光阻层；并在绝缘层表面及电容储存窗口底部及侧壁形成一导电薄层；通过涂布另一层光阻层，并经全面性部份曝光后移除，至暴露出位于绝缘层上表面的导电薄层，接着移除暴露出的导电薄层，使导电薄层仅位于电容储存窗口的表面而做为下电极后，将上述的光阻层移除；在导电薄层表面形成一电容器绝缘层；并于电容器绝缘层上全面性沉积形成一导电层，经化学机械研磨至暴露出绝缘层的上表面后，形成上电极。

主权项

1.一种动态随机存取存储器的电容器的制造方法，其特征是：包括： 提供一基底，该基底形成隔离结构用以界定一第一主动区和相邻的一第 二主动区，每一主动区中形成有包含一共用源极、二汲极与二闸极的二晶体 管，在包含该些晶体管的该基底上形成有一第一绝缘层，且该第一绝缘层中 具有复数第一导电插塞和复数第二导电插塞分别与该些汲极和该些源极接 触； 在包含该些第一和第二导电插塞的该第一绝缘层形成一蚀刻停止层； 在该蚀刻停止层上形成一第二绝缘层，该第二绝缘层中具有复数电容储 存窗口对应于该些第一导电插塞； 涂布一第一光阻层，以填满该些电容储存窗口； 将该第一主动区一侧的电容储存窗口和该第二主动区邻近该第一主动区 一侧的电容储存窗口之间的该光阻层曝光后移除，以暴露出其下方的该第二 绝缘层的表面，使该第一光阻层转为一第一图案化光阻层； 移除暴露出的该第二绝缘层，至暴露出的该第二绝缘层的一第一上表面 低于覆盖于该第一图层化光阻下方的该第二绝缘层的一第二上表面一距离； 移除该第一图案化光阻层； 在该第二绝缘层的该第一和第二上表面及该些电容储存窗口底部及侧壁 形成一导电薄层； 涂布一第二光阻层，于该导电薄层上，并填满该些电容储存窗口； 将该第二光阻层全面性部份曝光后移除，至暴露出位于该第二绝缘层的 该第一和第二上表面的该导电薄层，使该第二光阻层转为一第二图案化光阻 层； 移除暴露出的该导电薄层，使该导电薄层仅位于该些电容储存窗口的表 面，以形成对应于该些电容储存窗口的复数下电极； 移除该第二图案化光阻层； 在该导电薄层表面形成一电容器绝缘层； 在该电容器绝缘层上全面性沉积形成一导电层；以及 移除该导电层，至暴露出该第二绝缘层的该第二上表面，以形成一上电 极。