Estructura de capa de pasivación de dispositivo semiconductor y método de formación de la misma

摘要

Una estructura de capa de pasivación de un dispositivo semiconductor (100) que se dispone sobre un sustrato semiconductor, que comprende: una estructura de capa de pasivación dispuesta sobre el sustrato semiconductor, caracterizada porque la estructura de la capa de pasivación comprende una capa de óxido de aluminio dopado con halógeno (110) y el sustrato semiconductor es una capa semiconductora de tipo p (102).