| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明为一种半导体装置的制造方法，该方法具有：准备形成有半导体元件的半导体晶片(1)的步骤；通过沿着该半导体晶片(1)的划线，切割该半导体晶片的厚度的20μm以上，在划线上形成沟(4)的半切割步骤；在包含沟内的半导体晶片的必要部分上形成保护膜(5)的步骤；按照必要，增加电极部厚度的步骤；通过沿着所述沟切割，把半导体晶片分离为各个IC芯片、芯片尺寸封装元件的完全切割步骤。从而可实现在切割半导体晶片后的IC芯片的侧面和芯片边缘形成有保护膜的半导体装置及其制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1441479A | 申请公布日期 | 2003.09.10 |
| 申请号 | CN03106183.4 | 申请日期 | 2003.02.20 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 小林丰雄 |
| 分类号 | H01L21/78;H01L21/304 | 主分类号 | H01L21/78 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于：具有：准备好形成有半导体元件的半导体晶片的步骤；通过沿着该半导体晶片的划线，切割该半导体晶片的厚度的20μm以上，在划线上形成沟的半切割步骤；在包含沟内的半导体晶片的整个面上形成保护膜的步骤；通过沿着所述沟切割，把半导体晶片分离为IC芯片的完全切割步骤。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||