垂直型半导体可变电阻装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种垂直型半导体可变电阻装置，包括一基底、一绝缘层、一第一及第二掺杂区。其中，基底具有一沟槽。绝缘层则填满基底的沟槽。第一及第二掺杂区分别位于该沟槽的两侧。第一掺杂区具有一控制电位，第二掺杂区与基底间的一电阻受控制电位的影响而产生变化。另外，本发明亦提供一利用此垂直型半导体可变电阻装置而设计的参考电压产生器，可具有较佳的电压稳定度。

主权项

1.一种垂直型半导体可变电阻装置，包括：一基底，具有一沟槽；一绝缘层，填满该基底的沟槽；以及一第一及第二掺杂区，分别位于该沟槽的两侧；其中，该第一掺杂区具有一控制电位，该第二掺杂区与该基底间的一电阻受该控制电位的影响而产生变化。