| 发明名称 |
SEMICONDUCTOR DEVICES FORMED OF III-NITRIDE COMPOUNDS, LITHIUM-NIOBATE-TANTALATE, AND SILICON CARBIDE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
AU2003217412(A1) |
申请公布日期 |
2003.09.09 |
| 申请号 |
AU20030217412 |
申请日期 |
2003.02.14 |
| 申请人 |
GEORGIA TECH RESEARCH CORPORATION |
发明人 |
WILLIAM, ALAN DOOLITTLE |
| 分类号 |
H01L21/20;H01L29/04;H01L29/20;H01L29/24;H01L29/267;H01L31/0304;H01L33/00;H01L33/32;(IPC1-7):H01L29/04 |
主分类号 |
H01L21/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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