| 发明名称 |
High voltage power mosfet having low on-resistance |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
AU2003219831(A8) |
申请公布日期 |
2003.09.09 |
| 申请号 |
AU20030219831 |
申请日期 |
2003.02.20 |
| 申请人 |
GENERAL SEMICONDUCTOR, INC. |
发明人 |
RICHARD A. BLANCHARD |
| 分类号 |
H01L21/225;H01L21/336;H01L21/66;H01L29/06;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/336;H01L21/332;H01L29/76 |
主分类号 |
H01L21/225 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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