发明名称 Pseudo-static single-ended cache cell
摘要 A cache memory cell comprising a read-access transistor to access the cell, where the read-access transistor is reverse biased when the memory cell is not being read to reduce sub-threshold leakage current.
申请公布号 US6618316(B2) 申请公布日期 2003.09.09
申请号 US20010027414 申请日期 2001.12.20
申请人 INTEL CORPORATION 发明人 HSU STEVEN K.;KRISHNAMURTHY RAM
分类号 G11C7/02;G11C15/04;(IPC1-7):G11C8/00;G11C7/00;H03K19/094;H03K19/20 主分类号 G11C7/02
代理机构 代理人
主权项
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