发明名称 |
Pseudo-static single-ended cache cell |
摘要 |
A cache memory cell comprising a read-access transistor to access the cell, where the read-access transistor is reverse biased when the memory cell is not being read to reduce sub-threshold leakage current.
|
申请公布号 |
US6618316(B2) |
申请公布日期 |
2003.09.09 |
申请号 |
US20010027414 |
申请日期 |
2001.12.20 |
申请人 |
INTEL CORPORATION |
发明人 |
HSU STEVEN K.;KRISHNAMURTHY RAM |
分类号 |
G11C7/02;G11C15/04;(IPC1-7):G11C8/00;G11C7/00;H03K19/094;H03K19/20 |
主分类号 |
G11C7/02 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|